【会议论文】在β-Ga₂O₃衬底上通过金属图案进行背面曝光的自对准光刻技术

        论文简介：来自日本国立材料研究所(NIMS)的Takayoshi Oshima发表了一篇名为《Self-aligned photolithography using backside exposure through metal patterns on β-Ga₂O₃ substrates》的论文文章。该文章介绍在β-Ga₂O₃衬底上进行背面曝光的自对准光刻技术。