【其他论文】超宽禁带半导体领域的进展与挑战

        由深圳平湖实验室的研究团队在学术会议 2026 10th IEEE Electron Devices Technology & Manufacturing Conference (EDTM) 发布了一篇名为 Progress and challenge in ultrawide bandgap semiconductors（超宽禁带半导体领域的进展与挑战）的文章。

摘要

        超宽带隙半导体材料，包括氧化镓、氮化铝和金刚石，因其适用于高压和高温应用的独特性能而备受关注。在本文中，该团队探讨了超宽带隙半导体所面临的挑战，并介绍了在超宽带隙半导体材料和器件方面的最新进展。这些进展包括氧化镓中 p 型掺杂的改进、表面处理新技术及其对氧化镓器件性能的影响、高性能 AlN/AlGaN HEMT 以及高击穿电压金刚石肖特基二极管（SBD）器件。

原文链接：

https://doi.org/10.1109/EDTM65772.2026.11497059