【其他论文】Ga₂O₃ 中 β↔γ 多晶型相变过程中的发光行为演化

摘要

        在 β-Ga₂O₃ 中进行离子注入会改变近表面区域，该区域的混乱积累可驱动局部 β↔γ 多形态转变，但这种结构转变与随之产生的发光特征之间的机制联系尚未明确。本文采用铋（Bi）离子注入作为等价、辐射惰性的混乱示踪剂，以将晶格混乱与掺杂剂相关的复合过程解耦，并分离出镓（Ga）亚晶格破坏在发光演变中的作用。高通量注入会产生近表面的 β/γ 混合层，这通过沟道混乱和 γ 相关的衍射特征得到了证实，而铋主要以 Bi³⁺ 的形式掺入，证实了与铋相关的发射中心的形成可忽略不计。深度分辨的阴极荧光揭示了一个明显的约 2.0 eV 橙色发光（OL）带，其强度与注入损伤分布相一致，并与本征自陷空穴（STH）紫外发射的抑制相吻合。该橙色发光带归因于通过注入诱导的深能级受主进行的复合，其中迁移的自陷空穴被类 γ 环境中稳定的镓空位复合物捕获。退火驱动 γ→β 重排，恢复主要的自陷空穴发射并强烈抑制橙色发光带，尽管残留强度表明空位复合物持续存在。这些结果建立了 β↔γ 转变混乱与 β-Ga₂O₃ 中缺陷介导发光之间的强相关性。

原文链接：

https://doi.org/10.1016/j.mssp.2026.110892