【器件论文】锡掺杂氧化镓薄膜光电特性调控：面向高性能紫外探测与成像

        由湖南大学的研究团队在学术期刊 ACS Applied Electronic Materials 发布了一篇名为 Modulate Optoelectronic Properties of Tin-Doped Gallium Oxide Thin Films for High-Performance Ultraviolet Detection and Imaging（锡掺杂氧化镓薄膜光电特性调控：面向高性能紫外探测与成像）的文章。

摘要

        由于具有宽禁带和高化学稳定性，氧化镓（Ga₂O₃）在紫外光电子器件和功率器件领域受到越来越多的关注。本文报道了一种通过溶液法制备锡掺杂 Ga₂O₃ 薄膜的工艺。通过调控制备过程，可以实现对薄膜性能的有效调控。在优化的掺杂浓度下，所制备的光电探测器表现出优异的综合性能，包括 102.5 mA/W 的响应度以及 1.54 × 10³ 的明暗电流比。进一步地，该团队将该方法扩展到柔性衬底上。所得薄膜及器件展现出优异的机械柔性。该工作为将掺杂 Ga₂O₃ 薄膜应用于柔性紫外光电子器件提供了一种有效策略。

DOI：

https://doi.org/10.1021/acsaelm.6c00460