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【会员新闻】喜报|镓仁半导体氧化镓专用VB法长晶设备斩获CSPSD 2026优秀市场表现奖

日期:2026-06-29阅读:20

        2026年6月25日,2026功率半导体器件与集成电路会议(CSPSD 2026)在上海临港开幕。作为国内功率半导体领域规格最高的年度盛会之一,本届会议围绕宽禁带与超宽禁带半导体材料、功率器件、先进封装等核心议题展开深度研讨,覆盖产业链上下游核心企业与研究机构。

        大会期间,组委会组织了优秀功率半导体产品评选活动,旨在表彰在功率半导体领域具有突出市场表现的企业与产品。杭州镓仁半导体有限公司(下称“镓仁半导体”)凭借自主研发的“氧化镓专用VB法长晶设备”荣获本届大会优秀市场表现奖。该设备由镓仁半导体独立研发,为氧化镓单晶规模化生长而专门设计,采用垂直布里奇曼法(VB法)技术路线,可有效提升晶体质量与生长效率,为氧化镓材料的产业化制备提供了关键装备支撑,推动了关键装备国产化进程。

图1 大会颁奖现场

图2 镓仁半导体获奖奖牌

        本届优秀市场表现奖同期获奖单位还包括英诺赛科、芯联集成、北方华创、清纯半导体、国联万众、索相科技,覆盖了功率半导体材料、设备、器件、模块等产业链核心环节。镓仁半导体与上述行业领军企业共同上榜,充分彰显了氧化镓专用设备在功率半导体产业中的市场价值与发展潜力。

        此次获奖是对镓仁半导体在氧化镓装备领域技术创新与市场开拓的肯定。未来,公司将继续深耕超宽禁带半导体设备与材料领域,持续推动氧化镓产业化进程,为第四代半导体产业高质量发展注入新动能。

        目前SCIENCE系列”科研级VB法长晶设备现已开放预订。公司秉持开放共赢理念,诚邀全国高校、科研机构与我们携手,共同探索氧化镓的应用潜能,共创半导体产业新价值!

关于镓仁

        杭州镓仁半导体有限公司是全球领先的氧化镓材料与设备解决方案提供商,专注于超宽禁带半导体领域的技术研发与产业化落地。公司核心产品包括:2-8英寸氧化镓单晶与衬底(其中8英寸为国际首发)、氧化镓垂直布里奇曼法(VB法)长晶设备、2-8英寸氧化镓同质外延片(其中8英寸为国际首发)等,致力于构建 “设备-晶体-衬底-外延” 全链条产品体系,为全球客户提供系统性解决方案。公司在氧化镓领域的相关成果获得人民日报、新华社、科技日报、新浪财经、中国蓝新闻、澎湃新闻等知名媒体专题报道

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