【国际时事】FLOSFIA表示 2022年内实现量产氧化镓功率器件

        着力开发氧化镓（Ga₂O₃）功率器件的京都大学创业公司FLOSFIA，预计将在2022年底开始量产肖特基势垒二极管（SBD）。

        该公司出展[TECHNO-FRONTIER 2022]（2022年7月20-22日/东京Big Sight），展出带有氧化镓的[GaO SBD]测试板，GaO SBD的最大额定值为600V，正向电流（I_f）为10A。就职于 FLOSFIA功率器件部门的营业部长井川拓人先生表示，"在过去的一年中，我们一直在出货GaO SBD的样品，并得到了积极的评价"。

        除了FLOSFIA的测试板外，还展出了由和光电研制造的带有GaO SBD的DC-DC转换器。这具有很重要的意义。井川先生说明：“除非在市场上有的采纳的实绩，否则很难扩大诸如GaO SBD等新器件的普及。”因此，如果任何一家公司采纳或引进此产品的话，以此为契机可能会增多采纳的事例。井川先生道出目标“我希望一年后能够在展览会上展示带有GaO SBD的最终产品。"

左=FLOSFIA的GaO SBD测试板（照片左）和和光电研制作的搭载GaO SBD的DC-DC转换器（照片右）/右=和光电研的DC-DC转换器。可以看到安装GaO SBD的装置

        FLOSFIA的氧化镓功率器件使用一种名为α-Ga₂O₃的材料。氧化镓有一个不同的晶体形式，即β-Ga₂O₃，其结构更加稳定。然而，α型在带隙等其他性能方面更加优秀*，因此FLOSFIA将开发的重心放在α-Ga₂O₃上。FLOSFIA拥有独自研发的成膜技术—MIST-DRY法，可以生产出具有稳定性和优良性能的α-Ga₂O₃。井川先生说明：“目前，除了通过我们的MIST-DRY法，很难生产出稳定的α型氧化镓。”

*带隙的值（eV）Si为1.1、SiC为3.3、Ga₂O₃为5.3 。5.3为α型氧化镓的数值，β型的数值要低一些。

        井川先生表示：“虽然在功率器件的市场中氧化镓功率器件还处于初期阶段，但在学会等发表了许多的研究成果。并且大多是针对β-Ga₂O₃的研究。”“ 在这个意义上，作为功率器件α型在实际应用方面是最接近的。”井川先生补充道。