【会员新闻】受邀出席CSPSD 2026，齐红基研究员发表氧化镓材料产业化主题报告并参加圆桌论坛

日期：2026-06-30阅读：315

中国科学院上海光学精密机械研究所研究员、杭州光学精密机械研究所所长、富加镓业创始人兼董事长齐红基受邀发表题为《面向功率器件的12寸氧化镓单晶技术及产业化》的主题报告，并应邀参加大会圆桌论坛。

2026年6月25日至27日，由第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）指导，中国科学院上海微系统与信息技术研究所、极智半导体产业网和第三代半导体产业联合主办的"2026功率半导体器件与集成电路会议（CSPSD 2026）"在上海临港凯悦酒店圆满举办。本届会议是国内功率半导体领域最具影响力的学术与产业交流平台之一，汇聚了来自高校、科研机构及产业界的众多专家学者，围绕硅基半导体、宽禁带/超宽禁带半导体材料、功率器件与集成电路等核心议题展开深度研讨。

会议期间，中国科学院上海光学精密机械研究所研究员、杭州光学精密机械研究所所长、富加镓业创始人兼董事长齐红基受邀发表了题为《面向功率器件的12寸氧化镓单晶技术及产业化》的主题报告，深度分享了团队在大尺寸氧化镓单晶制备及产业化方面的最新突破，引发与会者热烈反响。

报告指出，氧化镓（Ga₂O₃）凭借其超宽禁带（4.9 eV）、高击穿场强（约8 MV/cm）等优异特性，在数据中心、新能源汽车、轨道交通、电网输配电等高压、高功率应用领域展现出巨大潜力，是第四代半导体材料的重要代表。富加镓业于2026年3月在国际上率先制备出第一颗12英寸氧化镓单晶，刷新全球氧化镓单晶尺寸的最高纪录，成为国际上到目前为止唯一一家掌握该技术的企业。另外，报告重点介绍了人工智能在氧化镓单晶及外延材料开发过程发挥的重要作用。基于团队多年技术积累，成功开发了6/8寸氧化镓MOCVD外延技术，制备的单晶衬底及外延薄膜已经提供给国内外延或器件头部机构，已助力九峰山实验室研制出击穿电压超过9000 V的氧化镓横向MOSFET器件，刷新氧化镓耐压世界纪录，深度参与合作的声子辅助吸收光电导开关（中山大学牵头）实现高达98.93%的电压转换效率。大尺寸氧化镓单晶衬底及外延薄膜制备技术突破，为氧化镓功率器件的规模化市场应用奠定了坚实基础。

除主题报告外，齐红基研究员还受邀出席本届大会圆桌论坛，论坛由第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）副秘书长赵璐冰主持，鼎泰匠芯总经理黄文康、派恩杰半导体CTO柯灏韬、浙江大学教授/元芯半导体总经理柯徐刚、芯创德半导体总经理刘少煜及香港大学教授张宇昊等来自高校、科研院所及产业界的多位专家学者同台对话，围绕第四代半导体材料的产业化路径、技术瓶颈与市场机遇等核心议题展开深度交流。论坛上，齐红基研究员从我国能源政策及功率半导体发展的底层逻辑的“一个基本盘”出发，详细介绍了氧化镓材料高性能及潜在成本低的“两方面优势”及加工、器件兼容性及产业生态的“三重兼容性”，并给出了氧化镓半导体产业链在性能提升、成本下降、器件公司快速发展及氧化镓产业链落地等“四方面期待”。相关观点得到了论坛嘉宾及参会人员积极响应，为进一步推动氧化镓产业链贯通凝聚了更广泛的行业共识。

富加镓业将持续深化产学研合作，加快推进6/8寸氧化镓单晶及外延片的规模化量产，秉持"让世界用上好材料"的企业使命，携手产业链各方合作伙伴，共同推动第四代半导体氧化镓材料从实验室走向千行百业。

产品介绍

氧化镓设备：

公司研制了国际上首台具备“一键长晶”功能的EFG设备，可以满足2-8英寸晶体生长需求，目前获得国内授权专利6项，国际授权专利4项，可提供设备及配套工艺包。公司自行研制了全自动 VB 晶体生长设备，并在国内率先突破了12英寸单晶生长技术瓶颈，实现了大尺寸 VB 法单晶制备。目前获得国内授权专利6项，国际授权专利4项，可根据客户需求提供VB设备及工艺包。

氧化镓单晶衬底：

作为中国最早投身氧化镓单晶生长研究的先行者与业界领先的供应商，我们致力于为全球客户提供卓越的氧化镓单晶衬底。我们的产品线覆盖2-8英寸26种常规性氧化镓衬底产品，并能够提供尺寸，电学性能与晶向的定制化方案，满足高质量外延片研发及批量制备需求。

氧化镓外延片：

基于成熟的 MOCVD（金属有机化学气相沉积）与 MBE（分子束外延）技术平台，我们的产品线覆盖 2-6 英寸等15种常规性氧化镓外延片产品，及定制化 MBE 氧化镓外延片产品，为客户提供 “衬底-外延”一体化解决方案。外延层生长过程采用精准的工艺控制体系，可根据客户需求定制外延层厚度、掺杂浓度、组分均匀性等关键参数，能够满足不同功率等级、不同功能类型的器件研发与生产需求。

企业简介

杭州富加镓业科技有限公司

公司成立于2019年12月31日，公司以“让世界用上好材料”为愿景，开展超宽禁带半导体氧化镓材料的产业化工作，核心产品为氧化镓单晶衬底、MOCVD/MBE 外延片、布里奇曼法（VB法）及导模法(EFG法)晶体生长装备等，为材料研制提供系统性解决方案，加速超宽禁带氧化镓产业全链路贯通，推进氧化镓材料在功率器件、微波射频器件及光电探测等领域应用。公司在氧化镓领域发展方面取得的系列重要成果已获CCTV、《人民日报》、新华网、《中国证券报》、澎湃新闻等知名媒体专题宣传报道。企业荣誉汇总：2022年获得浙江省科技型中小企业；2023年获得国家高新技术企业；2024年获得杭州市企业高新技术研发中心及浙江省专精特新中小企业；2025年获得 ISO9001质量体系认证（编号：20225Q20294R0M）；2024年度杭州市“新雏鹰”企业；在氧化镓领域，正牵头起草氧化镓领域首个国家标准，并承担了国家发改委项目1项，国家工信部项目1项，参与了国家自然科学基金委、浙江省、上海市等国家及省部级项目3项。另外，获得国际专利授权14项（美国 6 项，日本7项，欧洲1项），国内专利授权42项，“富加镓业”商标认证注册3项，软件著作权（“一键长晶”控制软件）5项。