【会员风采】站在“产业”与“学术”之间:中科院苏州纳米所纳米加工平台,做客户最落地的研发伙伴
日期:2026-07-01阅读:204

纳米加工平台综合实力
硬实力方面:

一、纳米加工平台拥有超净实验室10000平方米,大型设备300余台套,具备开展微机电系统、光电子器件、功率器件、微流道与生物芯片,以及异质异构与超集成芯片的科学研究和产品开发能力。
二、平台搭建和企业、高校联合攻关,集“产、学、研、检”为一体的创新合作模式。
1.平台的学科研究涵盖(超)宽禁带半导体材料与器件、化合物半导体、自旋电子学、二维材料与器件、功率射频器件、光电子器件、光子集成芯片、异质异构和微系统集成工艺等领域。
2.平台拥有6英寸及以下研发线和8英寸小/中试工艺线,支持从实验室原型到工程化样品的快速迭代。
3.在此基础上,建设中科纳米张家港化合物半导体研究所和广东中科半导体微纳制造技术研究院进行产业化支撑。
软实力方面:
纳米加工平台拥有一支国际领先、国内顶尖的高水平人才队伍,团队规模达150余人,涵盖研发、工艺、设备维护及厂务支撑等多个领域。支撑重大科技项目200余项,年度支撑科研机构300余家。
纳米加工平台核心业务
一站式微纳加工与研发服务


一、纳米加工平台面向微电子、光电子、MEMS、生物芯片及纳米器件等领域,提供从技术咨询、工艺开发到委托加工、自主操作、联合攻关的全链条服务。提供专业的工艺指导、设备培训与技术服务,帮助客户快速上手、 协助客户培养技术人才,高效完成项目。
二、工艺服务涵盖材料外延、光刻、刻蚀、镀膜、离子注入、退火、封装、量测等关键工艺,支持MEMS、光电器件、功率与射频器件、磁性器件、量子器件、Micro-LED、异质异构集成等高端芯片研发。服务可分为委托加工与自主加工两种模式:
委托加工:可根据客户需求提供的工艺参数,由平台经验丰富的工程师完成样品制作。
※为企业客户及科研高校课题组老师减少前期研发或实验时间成本,大幅度提升研发效率。
自主加工:可在对客户进行综合培训后,为客户提供场地及设备,由客户授权员工自主上手操完成样品制作。
※对前期资金有限的初创企业客户来说大大降低研发及运营成本并对有人才需求的企业客户来说是性价比最高的人才培养平台。
核心竞争优势与差异化定位
站在“产业”与“学术”之间
做客户最落地的研发伙伴
相比纯代加工企业:开放、灵活、低成本门槛,特别适合从0到1的探索性研发和非标工艺验证。


服务模式
纯代加工企业:仅接受委托加工,客户不参与工艺过程
纳米加工平台:支持委托加工 + 自主操作,客户可亲自上手
工艺灵活性
纯代加工企业:固定工艺菜单,定制化成本高
纳米加工平台:支持探索性、非标工艺,适合研发型项目
样品规模
纯代加工企业:偏向量产,对单片或少量样品不友好
纳米加工平台:兼容单片、多尺寸、小批量,灵活适配研发需求
技术沟通
纯代加工企业:流程化对接,创新建议反馈通道有限
纳米加工平台:平台技术团队深度参与,共建工艺方案
成本门槛
纯代加工企业:对初创团队、高校课题组较高
纳米加工平台:配合科技创新券、园区补贴,降低研发成本
典型用户
纯代加工企业:产品定型、需要稳定量产的企业
纳米加工平台:高校、院所、初创团队、企业研发部门
站在“产业”与“学术”之间
做客户最落地的研发伙伴
相比高校研发机构:设备更全、工艺更稳、链条更长,且具备产业化导向和工程化能力,不再是“单点实验”。


设备资源
高校研发机构:设备分散、型号老旧、维护困难
纳米加工平台:300余台套大型设备,专业团队统一运维,性能稳定
工艺能力
高校研发机构:多为单一工艺点,缺乏全流程能力
纳米加工平台:覆盖外延→光刻→刻蚀→镀膜→封装→量测全链条
良率与稳定性
高校研发机构:因人而异,波动大
纳米加工平台:标准化工艺管控,稳定性和重复性高
中试/小批量能力
高校研发机构:基本不具备
纳米加工平台:具备8英寸中试线,可衔接研发与量产
产业化支持
高校研发机构:弱,缺乏封装、检测、政策配套
纳米加工平台:支持联合攻关、产业化孵化、政策申报
开放性
高校研发机构:多为内部使用,对外服务有限
纳米加工平台:全面对外开放,接受全国客户委托与来访加工
氧化镓工艺研发特色设备配置

具备氧化镓等半导体材料外延、器件制备与封装全流程工艺,支持(超)宽禁带功率射频、半导体光电(发光与探测)、MEMS、异质异构、生物芯片等器件与集成芯片研发。
外延设备 TNSC MOCVD#1-Oxide

设备原理
该设备以III族元素的有机化合物和VI族氧化物作为晶体生长源材料,以热分解反应
方式在衬底上进行气相外延,生长各种III-Oxide半导体以及相关多元固溶体的单晶
薄膜材料。
设备亮点
MOCVD加热系统经过专项改造升级,可显著延长加热器使用寿命,并实现更稳定的
高温区(≤1100℃)控制,支持4inch及以下高质量Ga2O3、In2O3薄膜外延生长。
主要用途
主要用于Ga2O3薄膜、In2O3薄膜、Ga2O3微纳结构外延。
技术指标
1.温度:1100℃
2.压力:10kpa-101kpa
3.转速:30rpm
4.MO源:TMGa、TEGa、TMAl、TMIn
5.气体:O2、N2O、SiH4
6.反应室类型:水平式
7.样品数量:3X2" 、1X4"
测试设备 FIB ZEISS Crossbeam 550L
设备原理
该设备将高分辨率场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)的成像和分析与聚焦离子束的加工能力结合到了一起。离子源(Ga)产生的离子束经过加速、聚焦后作用于样品表面,结合扫描电子束可实现微纳米尺度下的缺陷修复,兼具切割加工、制备透射样品等功能。
设备亮点
1.配置大样品舱室,可实现8inch晶圆加工及表征;
2.准控制切割位置,在加工过程中,SEM可实时观察。
主要用途
主要用于半导体集成电路、分立器件、微机电系统(MEMS)等晶圆及芯片的形貌观察、缺陷检查、定位和修复等。兼具样品截面制备、TEM样品制备,电路修复、材料结构三维重构等功能。
技术指标
1.电子束镜筒:ZEISS高分辨GeminiSEM镜筒
2.离子源:液态镓离子源
3.设备气体配置:Pt、SiO2
4.离子束分辨率:3nm@30kV
5.最大离子束束流:100nA
6.样品尺寸:8inch,向下兼容
平台人才引进需求
博士后:3~5名
岗位要求:
1)半导体、物理、材料或微电子等相关专业背景,掌握扎实的专业基础知识,有良好的英文阅读和写作能力,具备优秀的科研素质、创新精神和团队协作精神
2)年龄在35周岁以下,在国内外知名高校/院所获博士学位
3)具有半导体、微纳加工等工作经验者优先
岗位待遇:
1)固定薪酬:博士后在站期间,固定薪酬28万元起,特别优秀者固定薪酬58万元起,另加奖励绩效。
2)可争取的其他个人补贴:
a 入选江苏省卓越博士后计划,可获得50万元/30万元/20万元人才津贴。
b 入选博新计划,可获得20万元生活补贴。
c入选中国科学院特别研究助理资助项目或研究所“优秀博士后计划”,可获得12万元人才津贴。
d 获得中国博士后科学基金面上资助和特别资助(项目经费8万—18万元),分别给予2万元、5万元补贴。
应聘方式:
请应聘者将简历(简历文件名按照“应聘岗位-姓名”命名)、简要介绍通过邮件发送至邮箱:xdzhang2007@sinano.ac.cn。我们将以邮件或电话的方式通知通过初选的应聘者参加面试。

