【外延论文】关于射频溅射法在硅基板上沉积的 Ga₂O₃ 薄膜退火效应的研究

        由葡萄牙 INESC-MN 的研究团队在学术期刊 Electronic Materials 发布了一篇名为 Study on the Effect of Annealing on Ga₂O₃ Thin Films Deposited on Silicon by RF Sputtering（关于射频溅射法在硅基板上沉积的 Ga₂O₃ 薄膜退火效应的研究）的文章。

摘要

        氧化镓是一种具有优异光电性能的超宽带隙半导体材料，因此被广泛应用于各种器件和设备中。本文报道了热处理对射频溅射沉积在硅基底上的 β-Ga₂O₃ 薄膜的光学、形态、结构和组成特性的影响。该团队分析了在 550~1000 °C 范围内进行热退火的几个样品在多个入射角度下记录的椭圆偏振光谱，并使用适当的多层模型提取了光学函数。此外，该团队还采用了组成、结构和形态表征技术作为补充。该团队观察到，随着退火温度的升高，结晶过程分为两个主要阶段：在 700 °C 以下，密度增加；在 700 ~ 1000 °C 之间，结晶度提高。虽然在整个过程中折射率持续增加，但该团队发现，样品的极化率在第一阶段降低，在第二阶段增加。这些观察结果表明，热处理是调节 Ga₂O₃ 薄膜光学特性以适应器件应用的一种强大工具。

原文链接：

https://doi.org/10.3390/electronicmat7020010