【外延论文】生长在蓝宝石和 (100) β-Ga₂O₃ 衬底上的受体掺杂 mist CVD Cr₂O₃ 薄膜

摘要

        通过雾化学气相沉积（mist-CVD）法，在绝缘性蓝宝石衬底上生长了掺杂不同浓度 Mg、Ni 和 Cu 的 Cr₂O₃ 外延薄膜。随着掺杂浓度的增加，薄膜的导电率提高了几个数量级。在热探针测试中，高导电性薄膜（含约 6 wt% Cu）表现出 p 型特性。这使该团队能够利用通过楚克拉尔斯基法生长并剥离的 n 型 (100) β-Ga₂O₃ 薄片，在类似的生长实验中制备 p-Cr₂O₃/n-Ga₂O₃ 异质结。异质结的电容-电压、电流-电压、导纳谱以及深能级瞬态谱（DLTS）表明，该异质结存在良好的整流特性及低漏电流，且存在能级接近 E_c-0.15 eV、 E_c-0.21 eV、E_c-0.45 eV。本文将 Cr₂O₃:Cu/β-Ga₂O₃ 异质结的特性，与观察到的 NiO/Ga₂O₃ 异质结特性以及已发表的 p-Cr₂O₃(Mg)/β-Ga₂O₃ 异质结研究结果进行了对比。

原文链接：

https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2026.187824