【国内新闻】喜报！第四代氧化镓半导体项目成功入选南通“510英才计划”拟资助项目

        近日，中共南通市通州区委人才工作领导小组办公室发布《2026年第二批南通“江海英才”通州子项暨“510英才计划”拟资助项目公示》。经项目征集、资格初审、综合评审、资助审议等程序，共有22个项目进入拟资助名单。

        其中，“第四代氧化镓半导体薄膜与器件项目”成功入选，成为本批次重点支持的新材料与半导体方向项目之一，体现出地方政府对第四代宽禁带半导体技术发展的持续关注。

        从本次公示名单来看，项目布局覆盖人工智能、高端装备、新材料、先进制造、绿色低碳、海洋工程、生物医药等多个战略性新兴产业。其中，先进封装、高端电子制造专用材料、AI+新材料开发、第四代氧化镓半导体等项目集中出现，反映出通州区正围绕新一代信息技术和先进材料产业持续强化创新资源配置，加快培育具有核心竞争力的新兴产业集群。

        作为第四代超宽禁带半导体材料的重要代表，氧化镓凭借超宽禁带、高击穿电场、高功率器件潜力以及深紫外光电应用优势，近年来已成为全球半导体领域的重要研究方向。随着材料生长、外延制备、器件开发及产业链建设不断推进，氧化镓正逐步从实验室走向产业化，其在电力电子、智能电网、新能源汽车、轨道交通及深紫外探测等领域展现出广阔的发展前景。

        此次氧化镓项目获得地方人才计划支持，不仅体现了地方政府对前沿半导体技术创新的高度重视，也有望进一步推动氧化镓关键技术研发、成果转化及产业生态建设，为我国第四代半导体产业发展注入新的创新动能。