【会员风采】欢迎新会员单位 —— 山东国镓晶谷半导体科技有限公司

研究体系

        创建了我国第四代超宽禁带半导体氧化镓衬底材料及外延片材料生长、器件结构以及制造工艺的理论与技术体系，实现了我国第四代超宽禁带半导体从核心设备、材料到器件的重大原始创新，推动我国第四代超宽禁带半导体氧化镓材料、器件步入国际领先水平，引领我国第四代半导体由自主可控向自主发展的重大跨越。

三大核心研究方向

1. 大尺寸β-Ga₂O₃单晶生长工艺（团队最核心主业）

        EFG导模法（主力）：深耕(001)晶向，已稳定量产2/4英寸单晶，4英寸(001)无孪晶、XRD半峰宽＜58arcsec、位错密度≈1×10⁴/cm²，国内EFG标杆；当前攻关6英寸(001)零孪晶单晶，2026年小批量试样交付下游。

2. 精准可控掺杂技术（导电+半绝缘两大品类）

        Sn掺杂n型导电衬底：Sn替位掺杂机理、空位-杂质复合调控，整片电阻率均匀化，面向高压肖特基、MOS器件；第一性原理仿真+实验耦合优化掺杂浓度区间（10⁻³～10Ω·cm）。

Fe掺杂半绝缘衬底：Fe深能级补偿掺杂，电阻率≥10¹⁰Ω·cm，专供日盲紫外焦平面、射频器件；攻克大尺寸晶锭掺杂不均匀、边缘阻值漂移难题。

3. 晶体缺陷与衬底精密加工

        （1）位错、孪晶、氧空位、开裂成因机理，自研AI智能位错检测系统，实现晶片位错自动化快速标定。

        （2）晶圆精密研磨抛光工艺：TTV、Bow、Warp面型优化，抛光片Ra＜0.2nm，满足外延级衬底标准。

        （3）不同晶向(001)/(010)/(100)加工适配工艺库建设。

        本公司现可提供无开裂、无孪晶的2-4-6英寸的高质量β-Ga₂O₃晶体及其元素掺杂晶体。晶体完整均匀、透明度好、无气泡、无包裹物等宏观缺陷，处于国际国内领先地位。