【器件论文】自对准 SnO/β-Ga₂O₃ 台面异质结二极管，峰值 PFOM 达 0.93 GW/cm²

        由合肥工业大学的研究团队在学术期刊 Journal of Semiconductors 发布了一篇名为 Self-aligned SnO/β-Ga₂O₃ mesa heterojunction diodes with a PFOM of 0.93 GW/cm²（自对准 SnO/β-Ga₂O₃ 台面异质结二极管，峰值 PFOM 达 0.93 GW/cm²）的文章。

摘要

        本文报道了一种通过自对准蚀刻技术制造的垂直 SnO/β-Ga₂O₃ 台面异质结二极管（台面异质结二极管，mesa-HJD）。台面结构消除了该区域横向耗尽的影响，与未终端异质结二极管（未终端异质结二极管，UT-HJD）相比，其击穿特性得到了改善。该 SnO/β-Ga₂O₃ 台面异质结二极管具有 500 nm 的台面深度，实现了 1100 V 的击穿电压（BV），通过侧壁钝化可将其提高至 1631 V。随着台面深度的增加，BV 增加，同时比导通电阻（R_on,sp）也增加。因此，对于具有 500 nm 台面深度的优化器件，可实现最大的巴里加功率品质因数（PFOM），钝化器件的 PFOM 值为 0.93 GW/cm²。台面异质结二极管在未来高 BV β-Ga₂O₃ 电力电子器件中具有巨大的应用潜力。

原文链接：

https://www.jos.ac.cn/en/article/doi/10.1088/1674-4926/26020066