【其他论文】基于第一性原理与实验的 β/γ-Ga₂O₃ 界面能带偏移全面研究

        由南方科技大学、芬兰赫尔辛基大学、挪威奥斯陆大学的研究团队在学术期刊 The Journal of Physical Chemistry C 发布了一篇名为 Band Offsets at β/γ-Ga₂O₃ Interface: A Comprehensive Ab Initio and Experimental Investigation（基于第一性原理与实验的 β/γ-Ga₂O₃ 界面能带偏移全面研究）的文章。

摘要

        了解新兴自组织 β/γ-Ga₂O₃ 界面处的能带偏移对于其在下一代电子学中的应用至关重要。本研究探讨了两种不同 β/γ-Ga₂O₃ 界面取向下的能带偏移，同时考虑了应变状态和松弛状态。该团队采用了密度泛函理论计算，并通过高分辨率透射电子显微镜和纳米尺度应变分析进行了验证。界面应变对能带对齐有深远影响，能够诱导 I 型向 II 型的转变，并在松弛状态下产生较大的导带偏移（CBO 约 0.35 eV）。此外，即使在没有显著应变的情况下，晶体取向也会固有地改变偏移，表现出明显的界面偶极效应。对松弛界面预测的较大 CBO 表明其具有形成高密度二维电子气的潜力。然而，高应变敏感性意味着松弛过程中存在挑战，凸显了未来多形态氧化物器件对可控应变和取向工程的需求。

原文链接：

https://doi.org/10.1021/acs.jpcc.6c01872