【国内新闻】上海市临港第四代半导体布局，氧化镓产业迈向生态协同新纪元

        第四代半导体产业竞争正在从单点技术突破迈向产业体系构建。近日，《中国（上海）自由贸易试验区临港新片区第四代半导体未来产业集聚区建设行动方案（2026-2028年）》正式发布，方案围绕超宽禁带和超窄禁带半导体两大方向，提出构建全链条培育体系。其中，氧化镓作为超宽禁带领域的重要布局方向，在方案中获得重点关注，并贯穿材料、外延、器件等产业环节布局。

        此次临港新片区行动方案的核心价值，在于突破单一技术布局逻辑，转向围绕第四代半导体产业化需求构建完整生态体系。

        在材料端，方案提出推进超宽禁带材料关键技术攻关，重点推动氧化镓低成本、大尺寸晶圆量产，加强晶体生长、外延加工、晶圆加工和性能检测等环节能力建设，形成从材料制备到小批量供给的工程化能力。

        在外延与器件环节，方案进一步提出加强氧化镓同质外延和异质外延技术攻关，推动基于氧化镓的超高压肖特基势垒二极管（SBD）和异质结场效应晶体管（FET/HEMT）等器件研发，促进材料优势向器件性能转化。

        与此同时，围绕第四代半导体器件高功率密度、高散热需求，方案同步布局先进封装、高导热结构、可靠性评价等关键技术，并推进长晶、切割、抛光、检测等专用装备研发，为产业规模化发展提供制造支撑。

        从整体布局来看，氧化镓的发展重点正在从单纯追求材料性能突破，转向覆盖晶体生长、衬底制备、外延工艺、器件开发、封装验证和应用示范的系统推进。

        此次临港新片区行动方案提出构建覆盖基础研究、技术攻关、概念验证、工程化验证到规模化应用的全链条培育体系，与当前氧化镓产业的发展方向高度契合。

        依托临港新片区的产业基础和政策优势，这一系统化培育体系有望进一步凝聚产业链创新资源，推动氧化镓产业生态持续完善，加速技术成果向工程应用转化。

        未来，随着材料、器件、装备、封装和应用环节持续成熟，氧化镓产业将在多方协同推动下不断提升产业化能力，为我国超宽禁带半导体产业升级和高端装备自主可控提供有力支撑。

        当前，氧化镓产业正呈现多路径探索、协同推进的发展态势。围绕晶体生长、衬底制备、外延技术、器件开发、装备突破和应用验证等关键环节，不同创新主体持续深耕，在优势方向探索技术路线，共同推动产业链不断完善。

        正如亚洲氧化镓联盟建立之初的理念——“百镓争鸣，砥砺同行”，这一理念也与当前氧化镓产业的发展状态相契合。联盟成立之初，产业生态仍处于探索发展阶段，会员单位多以院校及研究单位为主。而随着氧化镓产业不断发展，越来越多氧化镓产业链内的企业加入其中，围绕晶体生长、材料加工、外延制备、器件开发、测试验证和应用探索等环节持续投入，在各自领域推动技术进步与产业突破。与此同时，联盟也持续汇聚产业链上下游力量，促进不同主体之间的交流合作与资源连接，推动产业链协同完善与生态建设。

        如今，氧化镓产业正从单点探索迈向多环节协同推进的新纪元。未来，随着材料、器件、装备、封装和应用等环节持续完善，产业链协同能力将进一步提升，加速创新成果向实际应用转化。亚洲氧化镓联盟也将持续连接产业链各方力量，共同推动氧化镓产业生态走向成熟。