【会员新闻】富加镓业氧化镓晶体生长技术获年度“十佳优秀论文”奖，持续推动行业发展

        氧化镓作为超宽禁带半导体材料，在高压大功率器件与日盲紫外探测领域前景广阔，但大尺寸、高质量、低成本单晶生长成为制约其产业化的首要瓶颈。垂直布里奇曼法（VB法）因为设备一次性投入低且晶体生长过程相对稳定，适合规模化生产，是目前实现氧化镓单晶产业化最为理想的技术路径。富加镓业于2023年在国内率先布局VB法氧化镓单晶方向，并基于“装备”+“工艺”的“双轮驱动”发展战略，借助于热场高精度仿真技术，在短时间内获得重大技术突破。值得关注的是，日本氧化镓龙头企业NCT经过长期实践，亦已将VB法列为未来大尺寸氧化镓单晶产业化的核心技术路线，进一步印证了VB法在氧化镓规模化制备中的巨大潜力。

        该论文发表后，富加镓业产业化进程加速推进：2025年9月，在国内率先实现6英寸VB法单晶生长；同年12月，在国际上首次制备出8英寸VB法氧化镓晶体；2026年3月，生长出全球第一颗12英寸VB法氧化镓晶体。每一次尺寸跨越的背后，都是工艺技术和装备实力的实质性提升，也是迈向产业化的坚实一步。通过持续深化的工艺技术攻关，富加镓业已建立起具有完全独立自主知识产权的工艺和装备技术壁垒，在VB法生长工艺方面，申请发明专利6项，在VB法生长装备方面，获得国际授权专利4项。另外，2025年富加镓业牵头起草了我国氧化镓单晶领域第一个国家标准《氧化镓单晶抛光片》（项目编号：20254547-T-469）。

        作为国内首家布局VB法技术路线的氧化镓材料供应商，富加镓业定位清晰——对标功率器件及光电探测等下游客户实际需求，提供高品质氧化镓衬底与相关产品。目前，富加镓业已建立起覆盖2英寸至8英寸氧化镓衬底及外延的产品线，核心产品覆盖EFG/VB法衬底、MOCVD/MBE外延片，以及全自动晶体生长装备，已经服务国内外60余家高校、科研院所及企业客户。

        荣誉是对过去的肯定，产品是对未来的承诺。富加镓业将继续以技术为根、以客户为中心，秉承"让世界用上好材料"的使命，为第四代半导体的产业发展提供坚实的材料支撑。

产品介绍

氧化镓设备：

        公司研制了国际上首台具备“一键长晶”功能的EFG设备，可以满足2-8英寸晶体生长需求，目前获得国内授权专利6项，国际授权专利4项，可提供设备及配套工艺包。公司自行研制了全自动 VB 晶体生长设备，并在国内率先突破了12英寸单晶生长技术瓶颈，实现了大尺寸 VB 法单晶制备。目前获得国内授权专利6项，国际授权专利4项，可根据客户需求提供VB设备及工艺包。

氧化镓单晶衬底：

        作为中国最早投身氧化镓单晶生长研究的先行者与业界领先的供应商，我们致力于为全球客户提供卓越的氧化镓单晶衬底。我们的产品线覆盖2-8英寸26种常规性氧化镓衬底产品，并能够提供尺寸，电学性能与晶向的定制化方案，满足高质量外延片研发及批量制备需求。

氧化镓外延片：

        基于成熟的 MOCVD（金属有机化学气相沉积）与 MBE（分子束外延）技术平台，我们的产品线覆盖 2-6 英寸等15种常规性氧化镓外延片产品，及定制化 MBE 氧化镓外延片产品，为客户提供 “衬底-外延”一体化解决方案。外延层生长过程采用精准的工艺控制体系，可根据客户需求定制外延层厚度、掺杂浓度、组分均匀性等关键参数，能够满足不同功率等级、不同功能类型的器件研发与生产需求。