【会议论文】利用溶胶-凝胶技术生产的Sn-和Si-掺杂的Ga₂O₃薄膜的特性

        论文简介：来自坎特伯雷大学电子和计算机工程系、新西兰MacDiarmid先进材料和纳米技术研究所和坎特伯雷大学物理和化学科学学院的K.M. Wislang、R.M. Gazoni和M.W. Allen联合发表了一篇名为《Properties of Sn- and Si-doped Ga₂O₃ thin films produced using sol-gel techniques》的论文文章。该文章介绍了利用溶胶-凝胶技术生产的Sn-和Si-掺杂的Ga₂O₃薄膜的特性。