【国内新闻】国家级平台加持，上海半导体产业再添重要布局：青浦携手西安电子科技大学打造宽禁带半导体产业创新高地

        宽禁带、超宽禁带半导体是我国实现半导体国产替代和关键技术突破的重要方向。《"十五五"规划》提出，要"加快宽禁带半导体产业提质升级，推动氧化镓、金刚石等超宽禁带半导体产业化发展"，为我国超宽禁带半导体产业发展进一步指明了方向。

        在国家战略引领下，上海正持续加快宽禁带、超宽禁带半导体产业布局，围绕材料、器件、平台、基金及产业生态等关键环节不断完善创新体系。2025年以来，上海相继启动超宽禁带半导体未来产业集聚区建设，布局重点实验室、概念验证中心、产业基金及创新联盟，着力打造具有国际竞争力的宽禁带与超宽禁带半导体产业集群。2026年，临港新片区进一步发布《第四代半导体未来产业集聚区建设行动方案（2026—2028年）》，明确将氧化镓、金刚石、氮化铝等超宽禁带半导体作为重点发展方向，加快构建覆盖基础研究、技术攻关、工程化验证、成果转化和产业应用的全链条创新体系。

        作为上海宽禁带半导体创新体系的重要布局之一，扎根上海青浦、由青浦区人民政府与西安电子科技大学合作共建、青浦科创集团主导建设的宽禁带半导体长三角研究院，立足长三角一体化核心优势，以"区位、科创、资本、运营"四大底座赋能，推动产业要素从聚合、整合走向深度融合。

        研究院落地青浦，叠加长三角一体化示范区、虹桥国际开放枢纽、进博会等多重国家战略优势，具备优越的区位条件。2025年，青浦新一代信息技术产业营收突破1000亿元，同比增长超20%，为项目落地和产业集聚发展提供了坚实基础。

        研究院深度依托西电宽禁带半导体国家工程研究中心（国内唯一）国家级平台，聚焦氮化镓、氧化镓核心赛道攻关领域难题。作为国内宽禁带半导体领域的重要科研力量，西安电子科技大学在氧化镓材料与器件研究方面长期处于国内领先水平，是我国氧化镓领域最具代表性的科研单位之一。依托这一科研优势，研究院将进一步强化氧化镓等前沿材料的技术研发与成果转化能力。此外，该中心在第三代半导体领域拥有专利超1000项，西电2025年前三季度GaN新增专利申请量与授权量均居全球第一。

        三阶要素演进，塑造全新载体空间：依托四大底座，研究院持续释放区位吸引力、科创驱动力、资本引领力和生态服务力，形成多维协同、相互赋能的发展格局，构筑差异化核心竞争优势。基于四大底座支撑与“四力”协同驱动，研究院推动产业要素实现从聚合、整合到融合的递进式升级，破解传统科研创新与产业发展衔接不足的问题。

        从技术、人才、资本、政策等创新资源的集聚汇流，到创新链、产业链、资金链等关键环节的协同贯通，再到多元资源深度融合、产业生态共建共生，研究院逐步构建起“创新有支撑、转化有路径、企业有赋能、产业有承载”的闭环发展体系。

        以底座夯实发展基础，以协同力量推动价值提升，以生态汇聚产业动能，宽禁带超宽禁带半导体长三角研究院将探索形成可实施、可持续、可推广的产业创新模式。未来，研究院将聚焦宽禁带及超宽禁带半导体核心方向，持续完善产业生态、强化创新支撑，推动长三角半导体产业高质量发展，为我国半导体产业自主创新注入新动能。