【其他论文】基于VGa-nH 络合物缺陷调控二维 β-Ga₂O₃ p 型导电性的理论研究

        由西安邮电大学的研究团队在学术期刊《物理学报》发布了一篇名为 Theoretical study on p-type conductivity of two-dimensional β-Ga₂O₃ based on defect regulation of V_Ga-nH complex（基于 V_Ga-nH 络合物缺陷调控二维 β-Ga₂O₃ p 型导电性的理论研究）的文章。

摘要

        由于 β-Ga₂O₃ 价带平坦，导致 p 型掺杂难以实现。本文基于第一性原理计算研究了 V_Ga-nH 络合物缺陷对二维 β-Ga₂O₃ 材料 p 型导电性的影响规律。研究发现，V_Ga-nH 络合物缺陷在二维 β-Ga₂O₃ 中普遍呈现出不同程度的 p 型特性，其中 V_Ga-3H 和 V_Ga-4H 络合物缺陷的 p 型缺陷形成能最低，且能级位置较低，位于价带顶（VBM）上方 0.16-0.26 eV。在此基础上，进一步引入银（Ag）、镁（Mg）、锌（Zn）等元素后，V_Ga-3H、V_Ga-4H 络合物缺陷的 p 型导电性更显著，其中 V_Ga-3H-Ag 络合物缺陷的跃迁能级位于 VBM 上方 0.006 eV （6 meV）处，且该络合物缺陷具备较高热力学稳定性，属于一种具有高效 p 型导电能力的浅能级缺陷，该结论为二维 β-Ga₂O₃ 的有效 p 型掺杂制备提供了新的理论依据。

原文链接：

https://kns.cnki.net/kcms2/article/abstract?v=yAka2kXFwSRrTz-nzHKHiSX_flVyIYYQSumZJI1WUs3l7XncLiqA3UQDz9THHIsL8kwbFTdgZBILvLkSaYSx37JMe0jpnHsFhdoNMoJ40sixJ7AIh5OvgDobT8b89BGXpaq0SudTN0gMgUupIHhQU6w1M9_lCF6n5wvtzKpXaZcyrVv4Ybo7iQ==&uniplatform=NZKPT&language=CHS