【会议论文】检验溶液处理后Ga₂O₃薄膜的适当杂质掺杂和退火条件

        论文简介：来自同志社大学电子系的Akihiro Momota、Takuya Shibahara、ChenYiZhan Li和Naoki Ohtani联合发表了一篇名为《Examination of proper impurity doping and annealing conditions for solution processed Ga₂O₃ thin films》的论文文章。检验溶液处理后Ga₂O₃薄膜的适当杂质掺杂和退火条件。