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【会员新闻】相约内蒙古 | 富加镓业诚邀您同赴第十九届 MOCVD 技术与应用研讨会
日期：2026-07-23阅读：61
第十九届全国MOCVD学术会议将于2026年7月27日至29日在内蒙古·呼和浩特隆重举行。会议将聚焦“材料生长、表征与装备”、“功率电子与射频器件”、“光电子器件与应用”、“超宽禁带半导体与前沿交叉”、“新型器件及面向AI等新应用”等五大核心议题，以期为深化学术研讨、服务产业决策和促进技术交流提供重要支撑。
富加镓业受邀做分会邀请报告并携多款展品参展。
受邀报告
专题四：超宽禁带半导体与前沿交叉
报告人：陈端阳 富加镓业副总经理
报告题目：《氧化镓MOCVD同质外延技术与产业化进展》
报告时间：7月29日 上午10:50—11:10
报告地点：华茂酒店 4F 华玖厅
欢迎大家莅临现场交流、指导！
展品介绍
6/8英寸氧化镓衬底
基于导模法（EFG）或坩埚下降法（VB）生长，半绝缘型及导电型，双晶摇摆曲线半高宽≤150"，位错密度＜1x104cm2，粗糙度Ra≤0.5nm。
6/8英寸氧化镓同质外延片
基于金属有机化学气相沉积(MOCVD)和分子束外延（MBE）在导电型Ga2O3衬底上生长，厚度>10um，双晶摇摆半高宽≤150"， 粗糙度Ra≤5nm。
6英寸氧化镓功率SBD器件流片
基于富加的MOCVD同质外延片的千伏安培级SBD器件流片，耐压>1200V，比导通电阻<20mΩ.cm2，正向电流>5A@3V。
企业简介
杭州富加镓业科技有限公司
杭州富加镓业科技有限公司成立于2019年12月31日，公司以“让世界用上好材料”为愿景，致力于超宽禁带半导体氧化镓材料的产业化。公司核心产品为氧化镓单晶衬底、MOCVD/MBE 外延片、布里奇曼法（VB法）及导模法(EFG法)晶体生长装备等。公司为国家级高新技术企业，承担了国家科技部、发改委、工信部等国家级、省部级项目多项，获国际国内专利授权近70项，是国内氧化镓领域国家标准的发起单位和首个国标起草单位。公司在推动氧化镓产业化方面取得的系列重要成果已获CCTV、《人民日报》、新华网、《中国证券报》、澎湃新闻等知名媒体专题宣传报道。
