【会员新闻】重磅突破：镓仁晶圆级厚膜外延片通过器件验证，性能超越进口产品

        近日，杭州镓仁半导体有限公司（以下简称“镓仁半导体”）生产的氧化镓同质厚膜外延片，在西安电子科技大学顺利完成无终端结构的SBD器件制备与性能验证。本次验证所用的厚膜外延片，外延层厚度10 μm、载流子浓度1×10¹⁶ cm⁻³。验证结果表明，该器件耐压能力与导通特性表现优异，核心参数达到国际先进水平，关键指标显著优于日本头部企业同类器件，标志着我国大尺寸氧化镓同质外延材料在器件应用端取得了关键性突破。

        目前，该外延片持续现货供应，可为下游器件研发与量产提供稳定、即时的材料保障。

        此次验证结果表明，基于镓仁半导体外延片制备的SBD器件综合性能优异，器件指标优于进口产品，充分印证了外延片性能的可靠性，体现出公司在大尺寸厚膜外延工艺上的精准控制能力，打破了高端氧化镓外延材料长期依赖进口的局面。目前，镓仁半导体厚膜外延片已实现系列化布局，外延层厚度、载流子浓度、掺杂类型等参数均可定制，可灵活匹配不同器件的研发与量产需求。

        未来，公司将继续响应国家“十五五”规划关于推动氧化镓产业化发展的战略部署，持续优化工艺、提升片内均匀性，加快6/8英寸外延片的器件验证与量产导入，以高性能外延材料降低器件研制的门槛，为氧化镓功率器件的规模化应用提供稳定可靠的国产材料支撑。