【外延论文】(001) 冷壁 MOCVD 法生长前驱体残留杂质含量低的 β-Ga₂O₃

        由日本筑波大学的研究团队在学术期刊 Japanese Journal of Applied Physics 发布了一篇名为(001) β-Ga₂O₃ growth with low residual impurity from precursor by cold-wall MOCVD（(001) 冷壁 MOCVD 法生长前驱体残留杂质含量低的 β-Ga₂O₃）的文章。

摘要

        该团队研究了在冷壁金属有机化学气相沉积（MOCVD）法（001）β-Ga₂O₃ 同质外延生长中，镓（Ga）前驱体的生长速率和杂质浓度。在三乙基镓（TEGa）流量为 9.9 μmol·min⁻¹ 的情况下，实现了超过 0.8 μm/h 的生长速率，这对应于 1.5×10³ μm·mol⁻¹ 的镓掺入效率。在优化的生长温度和 VI/III 比下，碳和氢的浓度均低于 2×10¹⁷ cm⁻³。表面形貌呈现出平行于[010]方向的条纹特征，均方根粗糙度低于 1 nm。这些结果表明，TEGa 是实现（001）β-Ga₂O₃ 高质量生长的优良前驱体。

原文链接：

https://doi.org/10.35848/1347-4065/ae8592