【国际论文】APL丨 突破传统相变模型限制,美国卡内基梅隆大学建立κ(ε)-Ga₂O₃薄膜二维相变动力学模型
日期:2026-08-10阅读:134
由美国卡内基梅隆大学的研究团队在学术期刊 Applied Physics Letters 发布了一篇名为 Kinetic study of κ(ε) to β phase transformation in Ga₂O₃ thin films via in situ high-temperature XRD(通过原位高温 XRD 研究 Ga₂O₃ 薄膜中 κ(ε) 相向 β 相转变的动力学)的文章。
背 景
κ(ε)-Ga₂O₃ 是具备本征自发极化的超宽禁带多形体材料,极化强度远高于 AlN、GaN,可无掺杂生成高密度二维电子气,是射频高电子迁移晶体管、高温铁电器件核心候选功能层,适配空间极端高温工况器件制备。现有氧化镓外延工艺多采用 β 相薄膜,但 κ 相薄膜热稳定性与极化性能优势突出,高温退火下 κ 相向 β 相发生不可逆相变,会彻底丧失极化特性,制约其器件实用化。现阶段相变相关研究存在多重局限:已有原位透射电镜观测仅定性描述相变形貌演化,缺少定量动力学参数提取手段;传统 JMAK 相变模型基于三维无限生长假设,无法适配薄膜厚度受限的二维生长体系;不同膜厚、退火温度下相变激活能、阿夫拉米指数变化规律无系统定量对比,也未厘清面内旋转畴对相变路径的调控机制;缺少适配超薄氧化镓薄膜的修正型 JMAK 动力学解析模型,难以精准预测高温器件退火过程中物相演化行为,是极化型氧化镓薄膜产业化领域关键研究空白。
主要内容
本研究采用原位高温 X 射线衍射技术,对五批次外延生长于 c 面蓝宝石、厚度 700–1100 nm、名义纯 κ(ε)-Ga₂O₃ 薄膜开展 κ(ε)→β 相转变动力学研究;通过考虑择优取向的修正里特沃尔德精修定量提取各物相占比,并采用约翰逊-梅尔-阿夫拉米-科尔莫戈罗夫(JMAK)模型解析相变动力学。本研究评估了经典 JMAK 模型在薄膜体系的适用范围,确定其薄膜、块体材料适用上下边界,并以此推导专门适配薄膜动力学解析的修正模型,五批次样品均得到稳定可复现解析结果。实验表明,700–1100 nm 厚度薄膜内 κ(ε) 向 β 相转变属于无扩散型相变,相变由局部原子重排主导,整体表现为等效二维生长特征,全相变区间阿夫拉米指数接近 2。
创新点
①采用原位高温 XRD 结合修正里特沃尔德精修,定量提取不同退火温度下 κ(ε) 向 β 相转变物相体积分数。
②考虑薄膜厚度约束与生长各向异性修正经典 JMAK 模型,明确该模型在氧化镓薄膜、块体体系适用边界。
③证实 700–1100 nm 薄膜中 κ(ε)→β 相转变为无扩散二维饱和形核过程,阿夫拉米指数约等于 2。
④定量计算多膜厚批次相变激活能为 3.35–3.85 eV,阐明旋转畴对相变后外延匹配关系的影响。
结 论
综上,本研究通过原位等温高温 X 射线衍射,系统研究五批次名义纯 κ(ε)-Ga₂O₃ 薄膜的 κ(ε) 向 β 相转变过程。该相变可直接完成,无任何可检测中间相生成,相变后薄膜与 c 面蓝宝石衬底的面外、面内外延匹配关系,与原生外延 β 薄膜完全一致。
本研究重新推导科尔莫戈罗夫原始公式,引入薄膜有限厚度与生长各向异性约束条件,明确经典 JMAK 模型在薄膜体系的适用范围。有效阿夫拉米指数由无量纲膜 h/λ 与生长各向异性比值共同决定;实验中五批次样品全相变区间阿夫拉米曲线线性度优异,810–850 ℃ 全温度区间拟合阿夫拉米指数稳定约等于 2。瞬时指数分析进一步证明,体积分数 0.1–0.9 相变全程指数几乎保持恒定,n≈2 并非平均拟合参数,而是材料本征相变动力学特征。提取的相变速率常数满足阿伦尼乌斯规律,相变激活区间为 3.35–3.85 eV。五批次样品解析结果高度吻合,证明整套动力学分析方法稳定可复现。总体而言,700–1100 nm 厚度薄膜中 κ(ε)→β 相转变属于界面控制型饱和形核机制,受薄膜厚度约束,等效为二维生长过程。

图 1 (a) 830 ℃ 空气氛围下 κ(ε) 向 β-Ga₂O₃ 相变原位高温 XRD 等高线图谱;(b) 同一片 κ(ε)-Ga₂O₃ 薄膜 830 ℃ 退火前后离线高分辨 XRD 2θ–ω 扫描曲线;(c) 相变后 β 薄膜与原生 β 薄膜对称 (-201)、非对称 (-401) X 射线摇摆曲线对比;(d) 退火前 κ(ε)-Ga₂O₃ 薄膜、退火生成 β-Ga₂O₃ 薄膜 XRD φ 扫描图谱。

图 2 (a) 原生 κ(ε) 薄膜、(b) κ(ε) 退火相变生成 β 薄膜的薄膜-衬底面内氧原子排布与旋转畴结构示意图。

图 3 面内/面外生长速率比 vin/vout 分别等于 10、1、0.1 时,有效阿夫拉米指数随无量纲膜厚 h/λ 变化曲线 (a)(b)(c);(d)–(f) 连续形核机制下瞬时阿夫拉米指数随相变体积分数 X(t) 变化对应曲线;(g)–(i) 饱和形核机制下瞬时阿夫拉米指数随 X(t) 变化对应曲线。

图 4 第五批次 κ(ε) 薄膜分别在 810、820、830、840、850 ℃ 等温退火时采集的原位高温 XRD 等高线图谱。

图 5 (a)–(c) 1–3 批次 κ(ε) 薄膜不同退火温度下阿夫拉米曲线,实线为 JMAK 模型线性拟合线;(d)–(f) 瞬时阿夫拉米指数随相变体积分数 X 变化曲线;(g)–(i) 实验提取相变体积分数 X (t) 曲线,以及采用拟合动力学参数 (n、k) 得到 JMAK 模型匹配曲线。
DOI:
doi.org/10.1063/5.0336542










