【会员新闻】超宽禁带半导体技术论坛8月27日启幕，多家联盟会员单位共探产业未来

        近年来，以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）为代表的第三代半导体已逐步进入规模化应用阶段，产业生态持续完善，相关技术交流活动也已趋于成熟。而以氧化镓、金刚石等材料为代表的超宽禁带半导体，凭借更高的击穿场强、更优异的高压耐受能力等潜在优势，正成为下一代功率电子与光电器件的重要探索方向。

        在国家“十五五”规划对金刚石、氧化镓等前沿半导体材料发展的重点布局下，超宽禁带半导体产业正处于从基础研究、材料制备向器件开发和产业化探索加速推进的关键阶段，与当前成熟应用的SiC、GaN形成明显的技术发展阶段差异。

        为促进超宽禁带半导体领域技术交流与产业协同，由PCIM Asia Shenzhen及深圳平湖实验室联合主办的“超宽禁带半导体前沿技术论坛”将于8月27日在深圳国际会展中心（宝安新馆）16号馆A60论坛区举办。

        本次论坛将聚焦氧化镓、金刚石、氮化铝等超宽禁带半导体前沿方向，汇聚来自亚洲氧化镓联盟会员单位如深圳平湖实验室、西安电子科技大学、杭州镓仁半导体、杭州富加镓业科技有限公司，以及中国科学院上海光机所、杭州奥趋光电、宁波晶钻科技等单位的专家及产业代表。与会嘉宾将将围绕超宽禁带半导体技术议题和视角展开6场专题演讲，共同探讨超宽禁带半导体技术演进路径与产业发展机遇。

        此次论坛的举办，将进一步加强超宽禁带半导体领域产学研交流，促进材料、设备、器件及应用环节之间的技术互动，为下一代半导体产业创新发展提供交流平台。