【国际论文】探讨在β-Ga₂O₃ MOSFET上实施带有空气隙的静电场起电板设计对高功率和射频应用的功效

        近日由印度德里大学刊登在科学期刊《sciencedirect》的一篇名为Exploring the efficacy of implementing field plate design with air gap on β-Ga₂O₃ MOSFET for high power & RF applications（探讨在β-Ga₂O₃ MOSFET上实施带有空气隙的静电场起电板设计对高功率和射频应用的功效）的氧化镓相关论文。

内容摘要

        对带有空气隙的源场板设计进行了研究，目的是通过详尽的TCAD模拟，实现对高功率以及射频性能的改进。对各种模拟值（FoMs）和射频值（FoMs）进行了全面考察，并对所提出的源场板和空气隙的β-Ga₂O₃ MOSFET、栅极场板的β-Ga₂O₃ MOSFET和传统的β-Ga₂O₃ MOSFET进行比较。结果显示，与栅极场板设计和无任何设计的传统器件相比，所提出的设计产生了更高的击穿电压和功率图（PFoM），而且，与栅极场板相比，所提出的设计表现出了射频性能的改善。

        图1（a-c）分别说明了具有源极场板和气隙的横向β-Ga₂O₃ MOSFET、具有栅极场板的β-Ga₂O₃ MOSFET和传统β-Ga₂O₃ MOSFET的示意性截面图。图1(a)所展示的器件包含了源极场板，以及场板和钝化层之间的空气间隙。

图1. (a)带有源极场板的β-Ga₂O₃ MOSFET和气隙设计的示意图 (b)带有栅极场板的β-Ga₂O₃ MOSFET (c)传统β- Ga₂O₃ MOSFET的截面示意图。