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【衬底论文】采用提拉法生长的未掺杂和掺硅 β-(AlₓGa₁₋ₓ)₂O₃ 晶体的闪烁与光学性质
日期:2026-08-12阅读:48
由波兰尼古拉哥白尼大学的研究团队在学术期刊 Optical Materials 发布了一篇名为 Scintillation and optical properties of undoped and Si-doped β-(AlxGa1-x)₂O₃ crystals grown by the Czochralski method(采用提拉法生长的未掺杂和掺硅 β-(AlxGa1-x)₂O₃ 晶体的闪烁与光学性质)的文章。
摘要
在本文中,展示了最近在柏林莱布尼茨晶体培育研究所(Leibniz-Institut für Kristallzüchtung)采用提拉法生长的未掺杂和硅掺杂 β-(AlxGa1-x)₂O₃ 晶体的研究结果。本研究包括脉冲高度谱(测定光产额和能量分辨率)、闪烁时间剖面、低温热释光以及随温度变化的 X 射线激发发射光谱,旨在评估部分用铝替代镓对闪烁性能的影响。
原文链接:
https://doi.org/10.1016/j.optmat.2026.118231

