【外延论文】在 (011) 衬底上通过卤化物气相外延生长而成的 β-Ga₂O₃ 同质外延层的 (110) 和 (−134) 晶面表面形貌

        由日本国立物质材料研究所‌的研究团队在学术期刊 Japanese Journal of Applied Physics 发布了一篇名为 (110)-and(−134)-faceted surface morphology of halide vapor phase epitaxy-grown β-Ga₂O₃ homoepitaxial layers on (011) substrates（在 (011) 衬底上通过卤化物气相外延生长而成的 β-Ga₂O₃ 同质外延层的 (110) 和 (−134) 晶面表面形貌）的文章。

摘要

        采用原子力显微镜（AFM）和透射电子显微镜（TEM）研究了通过基于 HCl 的卤化物气相外延法在（011）β-Ga₂O₃ 基底上生长的同质外延层的表面形貌。该表面由沿[1−11]方向延伸的（110）和（−134）晶面组成，其晶面覆盖比分别为 0.207:0.793（AFM）和 0.210:0.790（TEM），与几何预期的 0.219:0.781 比例非常接近。因此，该表面可视为由（110）宏观台阶和（−134）平台组成。这些发现表明，应基于实际的（110）和（−134）晶面形貌，而非名义上的（011）基底取向，来讨论生长动力学和杂质掺入。

原文链接：

https://doi.org/10.35848/1347-4065/ae83f5