【其他论文】用于低温氢气传感器的 Ga₂O₃ 微棒修饰的 In₂O₃ 纳米结构

        由印度理工学院焦特布尔分校的研究团队在学术期刊 International Journal of Hydrogen Energy 发布了一篇名为 Ga₂O₃ microrods-functionalized In₂O₃ nanostructures for a low-temperature hydrogen gas sensor（用于低温氢气传感器的 Ga₂O₃ 微棒修饰的 In₂O₃ 纳米结构）的文章。

摘要

        由于其成本低廉且易于制造，氧化铟（In₂O₃）等金属氧化物半导体（MOS）传感器能够检测氢气（H₂），但其灵敏度和选择性通常受到限制。贵金属纳米粒子（NPs）可增强传感性能，但其高昂的成本阻碍了其广泛应用。另一方面，氧化镓（Ga₂O₃）资源丰富且成本效益高。本研究利用通过反应性气体真空蒸发（RGVO）制备的 In₂O₃ 纳米结构，并利用 Ga₂O₃ 微米棒进行功能化，创建了一种高性能的 H₂ 传感器。Ga₂O₃/In₂O₃ 器件的最佳工作温度为 50 °C。该器件对 20 ppm 的 H₂ 的响应约为 51 %，是裸露 In₂O₃ 传感器的两倍。与其他气体相比，该传感器对 H₂ 具有强烈的偏好。该传感器具有良好的响应性、恢复性、耐久性和重复性。In₂O₃ 纳米结构与高表面积 Ga₂O₃ 微米棒的结合，实现了在 50 °C 下增强的传感性能。本研究提出了一种低成本、节能的 H₂ 传感技术，取得了重大进展。

原文链接：

https://doi.org/10.1016/j.ijhydene.2026.156337