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【会员新闻】展会邀约 | 山东晶升电子邀请您参加第二十届全国晶体生长与材料学术会议
日期：2026-08-21阅读：146
2026年8月22日至25日，第二十届全国晶体生长与材料学术会议将在山东省济南市南郊宾馆召开，会议由中国硅酸盐学会晶体生长与材料分会和中国硅酸盐学会主办，由山东大学承办。会议旨在搭建晶体材料及相关领域科研技术人员之间相互学习、交流和合作的平台，提升本领域科研实力和科学技术水平，推动功能晶体材料发展，满足国家重大需求，促进晶体材料及相关产业发展。
八方宾朋齐聚泉城。本次山东晶升电子将携自主研发系列产品重磅亮相8号展位，诚邀您莅临展位，与全球客户、合作伙伴及行业同仁相聚济南，共探行业趋势。
恰逢会议落地济南，山东晶升电子科技有限公司扎根济南，热忱欢迎前来参会观展的新老朋友，在逛展之余，前来公司做客走访。
联系方式：13006586313
公司地址：山东省济南市长清区玉清路南段2222号济南长清国际企业港10号楼
展会产品抢先看
1 晶体提拉炉（GaN产品）
用于提拉法制备各种高品质单晶材料（如氧化镓、铌酸锂、二氧化碲、YAG、蓝宝石、YSO、LYSO等)
技术亮点
产品规格：50型，60型，80型，100型，120型。
提拉速度范围: +/-0.1—2000 mm/h。
旋转速度范围: ± 1—30 rpm。
称重限量:10 kg，20 kg，50 kg(可定制)，显示分辨率0.01 g。
不间断电源：使用1 KVA增强板UPS，连续供电时间约30 min。
2 HVPE立式晶体生长炉（GaN产品）
技术亮点
高生长速率、低缺陷密度。
横向纵向生长比率高、孔洞少，可以生长大面积厚膜。
单晶生长速率：≥50微米/小时。
产品尺寸：2/4/6/8英寸。
3 LPE氮化物晶体生长炉（GaN产品）
技术亮点
Na助熔剂液相外延生长2/4/6英寸GaN晶片，也可用于高压助熔剂法探索新型氮化物晶体。
双温区加热，最高使用温度1100 ℃，最高压力7 Mpa。
氮气溶解速度快、分布均匀、生长速度≥20微米/小时。
可外延生长高结晶质量和低位错密度的单晶。
4 VB晶体生长炉（氧化镓）（Ga2O3产品）
技术亮点
温度范围：100-1830 ℃。
进口发热体，工作温度精确度达±0.5 ℃。
坩埚具有旋转功能，可根据需要设置旋转速度和方向。
设备可用于2/4/6/8英寸单晶生长需求，可根据客户需求定制化所需其他功能。
5 InP晶体生长炉（VGF/ VB）（InP产品）
技术亮点
加工晶圆尺寸：4/6/8寸。
单点温度稳定性：±0.2 ℃。
高压腔设计压力：5 MPa。
工艺温度范围：800-1200 ℃。
控温精度：±0.2 ℃。
山东晶升电子展位
全国晶体生长与材料学术会议观展信息
会议时间
2026年8月22日（星期六）至
8月25日（星期二）
会议地点
山东省济南市南郊宾馆
山东晶升电子展位号
8号展位
