【会员新闻】展会邀约 | 镓仁半导体邀请您参加第二十届全国晶体生长与材料学术会议

日期：2026-08-21阅读：152

8月22日至25日，第二十届全国晶体生长与材料学术会议（CCCG-20）将在山东省济南市南郊宾馆举行。会议聚焦晶体生长理论、半导体晶体、晶体生长技术与装备等方向，并同期举办产业论坛及设备展览。作为本次会议协办单位，镓仁半导体将深度参与会议交流，与各界同仁共话技术创新与产业发展。

会议期间，浙江大学/杭州国际科创中心双聘教授、杭州镓仁半导体有限公司董事长张辉，将在“晶体生长技术与装备”会场作题为《大尺寸高质量氧化镓晶圆的进展与挑战》的学术报告，与现场专家学者和产业同仁分享相关研究进展，共同探讨大尺寸高质量氧化镓晶圆的发展机遇与挑战。

晶体生长技术与装备是本次会议的重要研讨方向。依托在氧化镓晶体生长领域的深厚积累，镓仁半导体自主研发了氧化镓专用VB法长晶设备。该设备无需频繁更换核心部件，可灵活满足2～8英寸氧化镓单晶的VB法生长需求；温度控制精度达±0.1 ℃，可实时监测数据；部署简便，无需额外配置工艺气体、压缩空气与冷却水等供应条件，同时，公司提供配套生长工艺包，为高校、科研院所及企业开展氧化镓晶体生长研究提供从装备到工艺的全面支持。

凭借技术创新与良好的市场表现，该设备近期荣获CSPSD 2026优秀市场表现奖，体现了市场对镓仁半导体氧化镓专用VB法长晶设备技术实力和应用价值的认可。

镓仁半导体诚邀您相聚济南，共话技术进展，共谋产业未来。

关于镓仁

杭州镓仁半导体有限公司是全球领先的氧化镓材料与设备解决方案提供商，专注于超宽禁带半导体领域的技术研发与产业化落地。公司核心产品包括：2-8英寸氧化镓单晶与衬底（其中8英寸为国际首发）、氧化镓垂直布里奇曼法（VB法）长晶设备、2-8英寸氧化镓同质外延片（其中8英寸为国际首发）等，致力于构建 “设备-晶体-衬底-外延” 全链条产品体系，为全球客户提供系统性解决方案。公司在氧化镓领域的相关成果获得人民日报、新华社、科技日报、新浪财经、中国蓝新闻、澎湃新闻等知名媒体专题报道。

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