【外延论文】基于大面积 (100) β-Ga₂O₃ 台阶的成核加速外延

        由韩国釜山大学的研究团队在学术期刊 ACS Omega 发布了一篇名为 Nucleation-Accelerated Epitaxy at Large-Area (100) β-Ga₂O₃ Terraces（基于大面积 (100) β-Ga₂O₃ 台阶的成核加速外延）的文章。

摘要

        尽管外延生长是秩序的同义词，但其实际实现往往依赖于局部破坏理想平坦度的表面位点的存在，如台阶和扭结，在这些位点上可以有效地吸附原子。在 (100) 基底上热力学稳定的单斜氧化镓（β-Ga₂O₃）的同质外延生长中，这一挑战众所周知，在刚切割的基底上，其表面呈现出大面积、原子级平坦的台阶，台阶边缘密度较低。为了解决这一问题，该团队提出了一种由退火触发的自组织过程，该过程将大面积的台阶细分为更窄的区域，其中子台阶的高度约为晶胞高度的一半。使用这种子台阶模板化的基底，该团队实现了约 2.83 μm·h^–1 的高生长速率，超过了文献中报道的 (100) β-Ga₂O₃ 同质外延的生长速率，同时保持了合理的结构质量和电子功能。通过将这种子台阶模板化方法与其他增强 β-Ga₂O₃ 同质外延成核的策略相结合，该团队得出结论，它为缓解与高表面能面或离轴斜切相关的限制提供了一条可行的途径。综上所述，这些结果展示了一种改善 β-Ga₂O₃ 同质外延以用于先进器件应用的实用策略。

原文链接：

https://doi.org/10.1021/acsomega.6c04660