【国际论文】用籽晶层制备Ta掺杂Ga₂O₃薄膜的性能研究

        近日，由上海大学材料科学与工程学院和上海大学（浙江）高端装备基础件材料研究院投稿于科学期刊《sciencedirect》的一篇名为Investigation of properties of Ta-doped Ga₂O₃ films prepared with seed layers（利用籽晶层制备Ta掺杂Ga₂O₃薄膜的性能研究）的氧化镓相关论文。

内容摘要

        超宽禁带半导体Ga₂O₃是电力电子、光电探测器和传感器的可行候选材料。其应用的关键在于通过掺杂技术以控制电性能。研究团队针对掺钽氧化镓薄膜的制备方法和性质进行了研究。在制备方面，采用了种子层辅助制备的方法，通过改变掺杂量和沉积温度来研究掺钽氧化镓薄膜的性质。在本次实验中，通过射频（RF）磁控溅射与籽晶层制备了Ta掺杂的Ga₂O₃薄膜。进行籽晶层的厚度对Ta掺杂的Ga₂O₃薄膜的微观结构、形态、光学和电气性能影响的考察。所制备的Ta掺杂的Ga₂O₃薄膜表现出多晶结构，表面均匀光滑，在可见光区域具有较高的光学透射率（＞80％）。结果表明，适当厚度的籽晶层（∼20nm）有利于改善薄膜的结晶质量和电气性能。

原文链接：https://www.sciencedirect.com/science/article/abs/pii/S0030402623000463