【器件论文】基于非晶 Ga₂O₃/SiC 异质结构的日盲光电子突触

        由南通大学、浙江大学的研究团队在学术期刊 Applied Physics Letters 发布了一篇名为 Solar-blind optoelectronic synapses enabled by amorphous Ga₂O₃/SiC heterostructure（基于非晶 Ga₂O₃/SiC 异质结构的日盲光电子突触）的文章。

摘要

        日盲光电子突触在深紫外光照下的前端类脑处理中极具吸引力，但基于 Ga₂O₃ 的双端系统目前仍主要局限于电驱动的忆阻开关。在此，该团队展示了一种通过溅射制备的非晶 Ga₂O₃/SiC 异质结构，用于双端日盲光电子突触操作。Ga₂O₃ 提供日盲吸收，而 SiC 区域则作为传输/读出通道，从而实现了光激发与电导的分离。该器件在 254 nm 脉冲照射下表现出兴奋性突触后电流、成对脉冲促进效应、可调的短期至长期记忆，以及学习-遗忘-再学习行为。结果表明，该突触行为由 Ga₂O₃ 中的日盲吸收、界面电荷转移以及缺陷介导的弛豫共同调控。本研究为日盲类脑光电子器件提供了一种可扩展的异质结构方案。

原文链接：

https://doi.org/10.1063/5.0346650