【国际论文】辐照β-Ga₂O₃的原子位移阈值能量和缺陷产生：第一原理研究

        由范德堡大学和宾夕法尼亚州立大学等投稿于科学期刊《Applied Physics Reviews》的一篇名为Atomic-displacement threshold energies and defect generation in irradiated β-Ga₂O₃: A first-principles investigation（照射β-Ga₂O₃的原子位移阈值能量和缺陷产生：第一原理研究）的氧化镓相关论文。

文章摘要

        氧化镓是一种新兴的宽禁带半导体，其有望在暴露于高能粒子的空间系统中应用。使用基于第一性原理与密度泛函理论的分子动力学模拟来确定在接近阈值能量（发现Ga为28±1eV，O为14±1eV）下由粒子辐照打掉的原子产生的缺陷的性质和稳定性。对于Ga原子来说，几种类型的低能量敲除都会产生缺陷复合体，但最终结构关键取决于初始位移方向。相反，在所有类型的O原子低能敲除中都会出现空位加过氧化物键。基于能垒计算，Ga（O）缺陷重组的概率很低（高）。由Ga敲除产生的残余弛豫缺陷的电子结构揭示了带边缘附近的缺陷水平。

原文链接：https://aip.scitation.org/doi/10.1063/5.0124285