【其他论文】关于具有（−201）晶面的层状掺杂 β-Ga₂O₃ 结构特性的第一性原理研究

        由西安邮电大学、西安工程大学的研究团队在学术期刊 Journal of Vacuum Science & Technology A 发布了一篇名为 First-principles study on the structural characteristics of layered doped β-Ga₂O₃ with (−201) crystal plane（关于具有（−201）晶面的层状掺杂 β-Ga₂O₃ 结构特性的第一性原理研究）的文章。

摘要

        作为一种超宽带隙半导体，β-Ga₂O₃ 在功率器件和日盲光电探测器方面具有良好的应用前景。第一性原理计算常用于研究掺杂体 β-Ga₂O₃，而分层掺杂 β-Ga₂O₃ 尚未构建以模拟逐层生长模式。本文构建了具有（−201）晶面的分层掺杂 β-Ga₂O₃，并通过第一性原理计算对其结构特性进行了全面研究。形成能计算揭示了不同掺杂剂的优选配位。优化的原子结构表明，除 Al 掺杂剂外，其他掺杂剂均导致明显的晶格变形。对于 Ge 或 Sn 掺杂剂，观察到掺杂剂分布不均匀，而 Ca 和 Sr 掺杂剂则导致掺杂剂位点周围的晶格膨胀。差分电荷分布和 Bader 电荷分析均揭示了结构特性对电荷转移的影响。这些结果有助于阐明分层掺杂 β-Ga₂O₃ 及相关微电子器件的机理。

原文链接：

https://doi.org/10.1116/6.0005516