【会员新闻】全球首发｜创锐光谱全球首台氧化镓晶圆位错无损检测系统成功交付头部客户

        创锐光谱 SN-9000 以“无损+一体化”为核心优势，结合高精高速、宽尺寸兼容及缺陷自定义等特性，为 β-Ga₂O₃ 衬底及外延提供从研发到量产的全面检测解决方案。

01｜光学无损检测，实现“片片检、批量检”

        采用位错光学无损检测技术，无需破坏样品即可精准识别内部缺陷，既保证检测结果的真实性，又避免昂贵衬底/外延片的损耗，尤其适合高价值 β-Ga₂O₃ 材料的批次放行与研发验证。

02｜衬底+外延一体化检测，一站式解决

        设备支持衬底与外延同机台一体化检测，无需切换不同系统即可完成从晶圆衬底到外延层的全流程质量监控，大幅缩短流转周期，减少交叉污染风险，提升产线效率。

03｜精准对标 XRT，效率提升数倍

        SN-9000 检测氧化镓衬底 [010] 位错线与 XRT 结果精准对标；区别于 XRT 需切换多个衍射面分次采集才能获取不同方向位错，SN-9000 可单次检测同时识别多取向位错，检测效率较 XRT 提升数倍，设备性价比突出、操作流程简易，适配产线批量出货质检。

04｜高精度+高检测通量，兼顾品质与产能

        可清晰分辨位错、孔洞、沾污、划痕以及外延层内部各种自定义形貌缺陷；β-Ga₂O₃ 衬底检测通量＞4 WPH（2 英寸），外延检测通量＞12 WPH（2 英寸），在同精度级别中保持领先，满足量产线对速度的严苛要求。

05｜宽尺寸兼容，灵活适配多种制程

        兼容 1×1 cm 小片及 2、4、6、8 英寸标准晶圆，覆盖从研发小样到规模化生产的全尺寸需求，一机多用，降低设备重复投资成本。

06｜外延缺陷自定义 + 缺陷溯源

        精准捕获氧化镓外延各类形貌缺陷，搭载自定义缺陷识别功能，帮助厂商追溯缺陷成因，持续优化外延工艺；依托衬底、外延一体化检测能力，结合亚微米级精准定位，可精准匹配上下两层缺陷位置，直观观测缺陷从衬底到外延的衍生传递规律，挖掘缺陷成因，有效反哺氧化镓衬底制备与外延生长工艺迭代。

        随着氧化镓材料向大尺寸、规模化生产及下游器件应用持续推进，对材料缺陷检测、质量评价及生产过程控制提出了更高要求。此次 Ga₂O₃ 晶圆位错无损检测系统的交付，是创锐光谱面向第四代半导体材料检测需求持续推进产品研发与产业应用的重要成果。

        未来，创锐光谱将持续围绕 SiC、GaN、Ga₂O₃ 和 InP、GaAs 等化合物半导体材料的检测需求，完善覆盖衬底、外延及器件环节的光学检测产品体系，进一步提升材料缺陷检测的无损化、自动化与数据化水平，为新型半导体材料研发及规模化生产提供坚实的技术支撑。