【外延论文】成分可调的 (AlₓGa₁₋ₓ)₂O₃ 超宽带隙多层膜

        由美国得克萨斯理工大学的研究团队在学术期刊 Materials Science in Semiconductor Processing 发布了一篇名为 Compositionally tunable (Al_xGa_1-x)₂O₃ ultra-wide-bandgap multilayers（成分可调的 (Al_xGa_1-x)₂O₃ 超宽带隙多层膜）的文章。

摘要

        氧化镓（Ga₂O₃）和铝镓氧化物 (Al_xGa_1-x)₂O₃（AGO）是深紫外光电子和高功率电子应用领域有前景的半导体氧化物。尽管近期人们通过不同的沉积技术努力实现超宽带隙 AGO 薄膜的生长，但高铝含量的 β 型 AGO 薄膜仍然是一个挑战。在本研究中，该团队引入了一种多层溅射沉积策略，即在 GO 或 AGO 层之间周期性地引入仅含 Al 的层。这种受控的 Al 堆叠方法有效地增加了 AGO 中的 Al 含量，与均匀 AGO 相比，其光学带隙有所增加。多层方法允许调节 Al 的组成，并且是传统共溅射方法的替代方案，具有抗溅射靶氧化的特性，可用于获得超宽带隙且富含 Al 的 AGO 薄膜。

原文链接：

https://doi.org/10.1016/j.mssp.2026.110706