【外延论文】六方 ε-(InₓGa₁₋ₓ)₂O₃ (x=0.05 和 0.15) 在 AlN 上的外延生长与表征

        由德克萨斯州立大学的研究团队在学术期刊 Journal of Physics D: Applied Physics 发布了一篇名为 Epitaxial growth and characterization of hexagonal ε-(In_xGa_1-x)₂O₃ (x=0.05 and 0.15) on AlN（六方 ε-(In_xGa_1-x)₂O₃ (x=0.05 和 0.15) 在 AlN 上的外延生长与表征）的文章。

摘要

        本文首次针对利用脉冲激光沉积法（PLD）在 AlN 衬底上沉积六方晶系的 ε-(In_xGa_1-x)₂O₃（x=0.05 和 0.15）进行了生长参数优化。通过系统调节 PLD 加热器温度和腔室氧气压力，对 AlN 衬底上 ε-(In_xGa_1-x)₂O₃ 的最佳生长参数进行了精细调整。550 ℃ 的加热器温度是获得亚稳六方相的最合适温度，既可避免多晶化，又能抑制立方氧化铟的形成，并阻止向单斜 β-Ga₂O₃ 相的转变。1.25×10⁻² Torr 的腔室压力对于将铟均匀地掺入 ε-Ga₂O₃ 晶格并将其转化为 ε-(In_xGa_1-x)₂O₃ 是必不可少的。X 射线衍射（XRD）φ 扫描证实了六方相的存在，并确定其外延关系为 (105) ε-(In_xGa_1-x)₂O₃∥(103) AlN。通过 XRD 2θ 峰位移以及 X 射线光电子能谱（PEPS）的元素扫描深度剖面，证实了 ε-Ga₂O₃ 中存在铟，同时还检测到微量未氧化的镓原子和氧空位中心。测得的带隙值为：ε-(In_0.15Ga_0.85)₂O₃ 为 4.55 eV，ε-(In_0.05Ga_0.95)₂O₃ 为 4.86 eV。

原文链接：

https://doi.org/10.1088/1361-6463/ae9d8e