【专利信息】氧化镓专利动态周报（8月-第八期）：山东国镓晶谷、九峰山实验室、先导原创、杭州镓仁、南京大学多项氧化镓专利集中公开

        国家知识产权局信息显示，山东国镓晶谷半导体科技有限公司申请了一项名为“一种助熔剂法生长氧化镓晶体杂质抑制方法、设备及介质”的专利，申请公布号为CN122588669A，申请号为2026110684698。

        本申请公开了一种助熔剂法生长氧化镓晶体杂质抑制方法、设备及介质，涉及半导体材料制备技术领域。方法包括：在坩埚内壁设置具有三维连通孔道结构的纳米多孔吸附涂层，并将氧化镓粉体和助熔剂粉体按预设比例放入坩埚中，置于晶体生长炉内；将氧化镓粉体和助熔剂粉体在坩埚内熔融，并在熔融过程中利用纳米多孔吸附涂层吸附游离杂质离子，以生成含氧化镓的熔体；将籽晶接触熔体的表面，在籽晶与熔体之间建立固液生长界面后调控晶体生长炉内的温度场，以驱使氧化镓晶体沿籽晶方向析出生长；将生长所得的氧化镓晶体与残余熔体分离，并清除氧化镓晶体表面附着的固化的助熔剂，以获得氧化镓晶体。本申请利用坩埚内壁搭载吸附涂层实现了杂质抑制。

        国家知识产权局信息显示，湖北九峰山实验室申请了一项名为“一种氧化镓薄膜及其制备方法和半导体器件”的专利，申请公布号为CN122588494A，申请号为2026104731085。

        本发明涉及一种氧化镓薄膜的制备方法，包括以下步骤：

        S10.制备二维材料层，并将其转移至衬底，得到二维材料/衬底复合结构；

        S20.在所述二维材料/衬底复合结构的二维材料表面形成金属镓层，得到金属镓复合衬底；

        S30.对金属镓层做原位氧化处理，形成氧化镓薄膜；

        其中，所述二维材料包括石墨烯、氮化硼、石墨烯异质结或氮化硼异质结。本发明的技术方案中，通过在二维材料表面形成金属镓层，由于金属镓具有极高的原子迁移率，氧化初期可在整个界面同步成核，抑制局部优先氧化导致的多晶或杂相形成；通过将金属镓原位氧化为氧化镓，使Ga完全转化为化学计量比接近理想值的β-Ga₂O₃，减少本征缺陷。

        国家知识产权局信息显示，先导原创（上海）新技术研究有限公司申请了一项名为“一种氧化镓单晶生长装置及生长方法”的专利，申请公布号为CN122588673A，申请号为2025101728739。

        本发明涉及晶体生长领域，公开了一种氧化镓单晶生长装置及生长方法，包括炉体坩埚主体、坩埚盖、支架、模具以及加热器；坩埚主体设于加热器内，坩埚主体的底部连接有用于驱动坩埚主体旋转的旋转装置；坩埚盖被配置于坩埚主体的上方；支架用于抵接支撑坩埚盖，以使坩埚盖与坩埚主体之间具有第一缝隙；模具设于坩埚主体内，且与坩埚盖固定连接，模具的底面与坩埚主体内底面之间具有第二缝隙；本发明通过第一缝隙和第二缝隙，使坩埚主体的旋转时，坩埚盖及模具静止，保证了晶体生长的稳定性，也使得熔体的受热以及掺杂杂质的分布更为均匀，有利于晶体生长过程中放肩质量的提升，还能使掺杂晶体的电学性能更好。

        国家知识产权局信息显示，先导原创（上海）新技术研究有限公司申请了一项名为“ 氧化镓晶体生长装置”的专利，申请公布号为CN122588672A，申请号为2025101706180。

        本发明公开了一种氧化镓晶体生长装置，包括炉体、保温腔、保温结构、提拉杆及生长组件，保温结构设于炉体内，保温结构围绕保温腔及围绕与保温腔连通的第一通道；提拉杆插设于第一通道内，并能在第一通道内做往返运动以提拉物料；生长组件设于保温腔内，生长组件包括坩埚体、模具及坩埚盖，坩埚盖盖设于坩埚体上，坩埚盖具有开口，模具设于坩埚体中，且其上部分穿过开口外露于坩埚盖，模具具有生长缝隙，生长缝隙沿第一方向延伸并贯穿模具，生长缝隙与第一通道相对设置；坩埚体为椭圆形筒状，坩埚体椭圆截面的两个焦点于第一方向上的投影位于模具的长度方向上。本发明解决了模具上表面中间温度低两边温度高的问题，使氧化镓晶体放肩更对称均匀。

        国家知识产权局信息显示，杭州镓仁半导体有限公司申请了一项名为“一种氧化镓晶体的生长方法”的专利，申请公布号为CN122588680A，申请号为2025101692510。

        本发明属于氧化镓晶体材料技术领域，尤其涉及一种氧化镓晶体的生长方法。本发明以氧化镓、矿化剂和水为原料，矿化剂能够促进氧化镓在150～1000 ℃条件下溶解于水中，形成的氧化镓溶液在自然对流的作用下在水热反应釜内不断循环流动，并与顶部氧化镓籽晶接触并进行晶体生长。本发明的生长方法生长温度低，不用使用铱金坩埚，成本低。同时，本发明在150～1000 ℃水热条件下进行晶体生长，避免了氧化镓在1800 ℃分解为金属镓与镓的亚氧化物，提高了氧化镓晶体的质量。

        国家知识产权局信息显示，南京大学申请了一项名为“基于氧化镓的主动注入式软开关LLC变换器及控制方法”的专利，申请公布号为CN122620986A，申请号为2026110811053。

        氧化镓半桥功率级，含串联的第一、第二氧化镓MOSFET主开关管，连接中点为半桥中点；双电感电容LLC谐振网络，含励磁电感接半桥中点；辅助软开关注入模块，含辅助直流电源、低压全桥网络、储能电感和隔离耦合单元，储能电感与原边绕组串联于两桥臂中点间，副边绕组经注入支路接半桥中点，且全桥网络与半桥中点间无直流导通通路；控制模块在第一主开关管导通期间控制全桥网络对储能电感预充电建立辅助电流，在其关断后死区时间内经隔离耦合单元向半桥中点注入电流，对第二主开关管输出电容充放电，并在半桥中点电压低于零电压阈值时导通第二主开关管。