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【器件论文】基于 GZO/β-Ga₂O₃ 异质结的自供电透明紫外光探测器,适用于日盲成像应用

日期:2026-08-31阅读:122

        由长春工业大学的研究团队在学术期刊 Materials Science in Semiconductor Processing 发布了一篇名为 Self-powered transparent ultraviolet photodetector based on GZO/β-Ga₂O₃ heterostructure for solar-blind imaging applications(基于 GZO/β-Ga₂O₃ 异质结的自供电透明紫外光探测器,适用于日盲成像应用)的文章。

摘要

        透明电子材料和节能型光电探测器的快速发展,使得自供电透明紫外(UV)光电探测器在日盲成像应用中极具前景。在本研究中,该团队首次通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)和射频(RF)磁控溅射技术,构建了一种自供电 GZO/β-Ga₂O₃ 异质结构日盲紫外光电探测器。在 0 V 偏压下,该团队的器件表现出约 1.63 mA/W 的响应率、1.2×10³ 的光暗电流比和 7.06×10¹⁰ Jones 的特定探测率,这表明其具有优异的自供电日盲紫外光电探测性能。此外,该团队通过制造由 16 个独立单元组成的光电探测器阵列,展示了这种透明器件在日盲成像中的实用性,该阵列由于具有高均匀性和高灵敏度,能够生成清晰的高对比度图像。该团队的研究结果为实现基于 β-Ga₂O₃ 的异质结构自供电紫外光电探测器在日盲成像和节能透明电子应用中铺平了可行之路。

 

原文链接:

https://doi.org/10.1016/j.mssp.2026.111040