【国际论文】硼离子注入β-Ga₂O₃后杂质原子的无序结构和分布

        近日由罗巴切夫斯基下诺夫哥罗德国立大学、俄罗斯科学院物理研究所和下诺夫哥罗德大学联合在科学期刊《ScienceDirect》中刊登了一篇名为Structural disorder and distribution of impurity atoms in β-Ga₂O₃ under boron ion implantation（硼离子注入β-Ga₂O₃后杂质原子的无序结构和分布）的氧化镓相关论文。

内容摘要

        由于氧化镓（Ga₂O₃）在电力电子和其他领域的应用前景，引起了人们的广泛关注。对于开发可控和可重复的方法是一项重要的课题，在氧化镓材料中进行各种掺杂，其中硼是相当重要的。Ga₂O₃掺杂这种等价（对于Ga）杂质的规律研究甚少。即使是作为最常见的半导体掺杂方法的离子注入，这些研究也仍然处于初始阶段。在本次实验中，利用X射线衍射、反射高能电子衍射、二次离子质谱以及第一原理的理论计算，研究了在硼离子辐照和退火后β-Ga₂O₃层的结构特性。其中受到关注的结果是，硼在快速离子注入后退火的过程中，会发生强再分配，并得出硼原子对镓位置的取代程度较低的结论。