【会员风采】欢迎新会员单位 —— 杭州创锐光谱科技集团有限公司

        公司研发团队兼具学术背景与产业化经验，现有博士21人、硕士49人，四大业务板块均由具备十余年研发及工程化经验的专家领衔，团队曾参与多项国家级重大研发项目。截至当前，公司已获发明专利29项、PCT专利2项、实用新型专利21项、软件著作权33项，形成较为完善的自主知识产权体系。在SiC领域，公司已形成覆盖衬底、外延与器件的系列化光学无损检测产品体系，DISPEC-9000、TAU-9000HR、SR-9000等产品已获得国内外头部客户验证与持续复购，建立了从缺陷检测到少子寿命及激光老化测试的完整检测能力。伴随着碳化硅产业链的持续成熟与检测需求的不断深化，创锐光谱正将成熟的光学无损检测技术向GaN、Ga₂O₃、InP、GaAs等化合物半导体材料领域延伸。其中，针对氧化镓材料，公司已推出相应的光学无损检测设备，进一步拓展在新型宽禁带半导体材料领域的检测能力。

二、氧化镓领域核心产品：SN-9000 Ga₂O₃晶圆位错无损检测系统

        针对氧化镓衬底及外延材料在缺陷识别、质量控制和工艺优化中的检测需求，创锐光谱推出SN-9000 Ga₂O₃晶圆位错无损检测系统。该系统围绕衬底与外延两个关键环节，构建涵盖缺陷检测、识别、定位及关联分析的综合能力，具备以下五大核心优势：

01｜光学无损检测，实现“片片检、批量检”

        采用位错光学无损检测技术，无需破坏样品即可精准识别内部缺陷，既保证检测结果的真实性，又避免昂贵衬底/外延片的损耗，尤其适合高价值β-Ga₂O₃材料的批次放行与研发验证。

02｜衬底+外延一体化检测，一站式解决

        设备支持衬底与外延同机台一体化检测，无需切换不同系统即可完成从晶圆衬底到外延层的全流程质量监控，大幅缩短流转周期，减少交叉污染风险，提升产线效率。

03｜高精度+高检测通量，兼顾品质与产能

        可清晰分辨位错、孔洞、沾污、划痕以及外延层内部各种自定义形貌缺陷；β-Ga₂O₃衬底检测通量＞4 WPH（2 英寸），外延检测通量＞12 WPH（2 英寸），在同精度级别中保持领先，满足量产线对速度的严苛要求。

04｜宽尺寸兼容，灵活适配多种制程

        兼容1×1cm 小片及2、4、6、8英寸标准晶圆，覆盖从研发小样到规模化生产的全尺寸需求，一机多用，降低设备重复投资成本。

05｜外延缺陷自定义 + 缺陷溯源

        精准捕获氧化镓外延各类形貌缺陷，搭载自定义缺陷识别功能，帮助厂商追溯缺陷成因，持续优化外延工艺；依托衬底、外延一体化检测能力，结合亚微米级精准定位，可精准匹配上下两层缺陷位置，直观观测缺陷从衬底到外延的衍生传递规律，挖掘缺陷成因，有效反哺氧化镓衬底制备与外延生长工艺迭代。

三、全球首发：创锐光谱SN-9000 Ga₂O₃晶圆位错无损检测系统正式交付

        2026年，创锐光谱自主研发的SN-9000 Ga₂O₃晶圆位错无损检测系统正式发运并成功交付行业头部客户，实现全球首台商业化落地。这标志着创锐光谱在第四代半导体材料检测领域取得重要突破。

四、发展规划

        目前，创锐光谱已形成覆盖科研仪器、半导体晶圆检测及光伏电池检测等领域的产品体系。在化合物半导体领域，公司重点布局SiC、GaN、Ga₂O₃ 、InP、GaAs等材料检测技术，持续拓展光学检测技术在不同材料及工艺环节中的应用。其中，在氧化镓领域，公司围绕产业化检测需求，持续强化无损检测、缺陷识别与定位以及衬底—外延缺陷关联分析等能力，为氧化镓材料研发、衬底制备、外延生长及规模化生产提供检测技术支撑。

        同时，公司将加强与高校、科研院所、材料企业及器件企业的技术交流与合作，围绕氧化镓材料缺陷检测、质量评价及工艺优化等方向深化产学研协同，推动检测技术与产业实际需求进一步融合。