【外延论文】V 掺杂对 Ga₂O₃ 薄膜微观结构和光电性能的影响

        由昆明理工大学、云南省贵金属新材料控股集团股份有限公司、太原理工大学的研究团队在学术期刊 Materials Letters 发布了一篇名为 Effect of V doping on the microstructural and photoelectric properties of Ga₂O₃ films（V 掺杂对 Ga₂O₃ 薄膜微观结构和光电性能的影响）的文章。

摘要

        采用磁控溅射法制备了掺钒氧化镓（Ga₂O₃）薄膜，并对其微观结构、光学性能和光电行为进行了分析。该团队发现，钒成功融入氧化镓中，占据镓空位，导致晶格收缩，并调节氧空位缺陷和带隙宽度。在 30 W 功率下沉积的薄膜表现出最佳的结晶度，平均可见光透射率达到 85 %，光学带隙为 3.91 eV。掺钒增强了 N 型导电性，改善了紫外光电响应，并为深紫外光电子应用提供了见解。

原文链接：

https://doi.org/10.1016/j.matlet.2026.141145