【器件论文】在正向偏置条件下，1 MeV 质子对 β-Ga₂O₃ 肖特基势垒二极管造成的损伤

        由美国亚利桑那州立大学的研究团队在学术期刊 IEEE Transactions on Materials for Electron Devices 发布了一篇名为 1 MeV Proton-Induced Damage in β-Ga₂O₃ Schottky Barrier Diodes under Forward Bias（在正向偏置条件下，1 MeV 质子对 β-Ga₂O₃ 肖特基势垒二极管造成的损伤）的文章。

摘要

        本文介绍了在高达 10¹³ p/cm² 的 1 MeV 质子辐照下，β-Ga₂O₃ 肖特基势垒二极管的特性表征与分析。随着辐照注量的增加，正向偏置电流电压特性表现出显著退化。基于模型计算提取的关键器件电学参数表明，辐射响应的主要贡献是 β-Ga₂O₃ 外延层的串联电阻发生变化。外延层串联电阻的变化与辐射诱导缺陷去除载流子导致的有效掺杂密度变化有关。通过 SRIM（离子在物质中的阻止和射程）和 TRIM（离子在物质中的输运）模拟，证实了相关注量下 1 MeV 质子产生的缺陷密度。这些结果对未来在恶劣环境中开发 Ga₂O₃ 电子学和光电子学具有重要意义。

原文链接：

https://doi.org/10.1109/TMAT.2026.3716608