【专家访谈】现在的氧化镓产业,更需要“耐心资本”——镓和半导体董事长唐为华谈行业判断
日期:2026-09-10阅读:31

2026年8月,全球氧化镓领域的专家学者、企业代表与产业人士齐聚美国马里兰州,共同参加第六届国际氧化镓及相关材料研讨会(IWGO-6)。
从材料生长、外延技术到器件研发与产业化,五天的会议汇聚了来自全球不同地区的最新进展,也让我们看到,氧化镓正从实验室中的前沿研究,逐步走向更加清晰的产业化进程。
但一场会议留下的,并不只有论文、报告与数据。
在IWGO-6现场,我们与来自不同国家和地区的专家、学者及企业代表交流,听他们谈技术进展、产业化判断,以及对行业未来的期待。这些来自产业一线的声音,或许比单纯的技术指标更能让我们理解:今天的氧化镓产业究竟走到了哪里,又将走向哪里?
我们将这些声音记录下来,留下这个产业迈向下一阶段时的一个切面。让我们从现场出发,听见全球氧化镓产业的声音。

本期,我们与苏州镓和半导体唐为华董事长展开对话,听他从材料技术、产业链协同与商业化落地等多个维度,分享对氧化镓产业未来发展的观察与判断。

如何看待这次氧化镓专业国际会议的整体情况以及国际同行的发展水平?
这次会议集中展示了国际氧化镓研究的前沿成果,给我最直接的感受,是全球氧化镓研究仍在快速推进,但大家讨论问题的方式已经变了。过去更多是讲材料性能、单个器件指标,现在从材料、不同生长方法到器件验证,整条链路都有人在做。研究不仅深入,而且上下游的协同配合已经形成了较好的互动局面,产业化问题也被放到了更重要的位置。
从不同国家和地区的进展来看:日本在大尺寸衬底和多种晶体生长技术路线方面仍保持较强优势。会议展示了包括导模法6英寸衬底在内的最新进展,同时,日本研究机构和企业也在下降法、DG法等不同晶体生长路径上持续探索,并围绕工艺成本控制以及光学微腔等新型应用方向展开布局。不过,部分前沿技术目前仍以工艺验证或样品展示为主,距离形成成熟产品和稳定量产能力还有一定距离。美国也在积极推进氧化镓晶体生长、工程模拟和器件技术研究,但部分成果仍处于工程化探索和商业化验证阶段,真正实现规模化落地仍需进一步积累。
所以我更倾向于把当前阶段理解为“从能不能做,转向能不能稳定地做”。材料到器件的基本示范应用在条件上已经成熟,下一步要解决的是产品一致性、制造成本和应用验证,把实验室里的结果变成客户愿意长期使用的产品。
我国在氧化镓产业发展上有哪些优势,还有哪些待提升的方向?
我国的优势,是产业链比较完整。单晶、衬底、外延、器件、装备和应用端都有团队在布局,而且制造配套、工程人才和供应链响应速度都有一定基础。一旦应用需求逐步打开,这种完整性会较快转化为迭代速度和制造成本上的优势。
以镓和半导体为例,我们目前把导模法作为β-Ga₂O₃单晶和衬底产业化的核心技术路线,并把晶体生长、晶向控制、定向切割、研磨抛光和检测评价放在同一条工艺链上协同优化。在尺寸和晶向上,公司目前已实现2至6英寸(100)、2至4英寸(001)无孪晶高质量氧化镓衬底的稳定供货,并完成6英寸(001)氧化镓晶体研制。我们尤其重视(001)衬底的产业化,因为对器件和外延客户来说,真正关心的不只是直径,还包括无孪晶控制、电学一致性、加工损伤和外延适配性。公司也可根据应用需求提供非掺杂、Fe掺杂高阻及Sn掺杂导电等不同电学类型的衬底。
短板也很现实。现在不少研究仍然停留在单项指标上,论文里的最好结果与产品的批次稳定性之间还有距离。功率器件、探测器等方向,需要更多长期可靠性数据和系统级验证,不能只看一次测试结果。
另外,上下游协同还不够紧。晶体、外延、器件和专用装备之间,很多问题必须共同解决。比如高温生长设备的温场稳定性和挥发控制、外延设备的残留管理,以及衬底缺陷如何影响器件性能,都需要材料企业、设备企业和器件企业尽早把数据打通。
针对氧化镓产业当前所处发展阶段,如何看待社会资本入局以及怎样实现产业稳步发展?
我认为资本大规模集中进入并不是越早、越多越好,关键是要和产业阶段匹配。氧化镓目前仍处在技术迭代和工程验证期,很多环节还在补数据、磨工艺。如果这个时候按成熟半导体产业去推演百万片产能和极限成本,容易把企业带到不合适的节奏里。
现阶段更需要的是“耐心资本”。资金应该优先投向能够补齐产业链短板、形成稳定产品并完成真实场景验证的项目,而不是只追逐尺寸纪录或单个性能纪录。政策和行业组织也可以发挥作用,推动标准、测试方法和示范应用尽快建立起来。
产学研合作也要从项目式合作往共同研发转变。企业最清楚工程问题,高校和科研机构在机理研究、测试分析上有优势。双方如果能共同定义问题、共享数据、持续迭代,成果落地会快得多。
大尺寸当然是明确方向,但样品做出来和稳定量产是两件事。现阶段更应该把良率、批次一致性、长期可靠性和成本控制放在一起考核。只有这些基础做扎实了,尺寸优势才会真正变成商业优势。
面向未来,针对行业学术交流机制优化与技术路线发展,您有什么建议?
我希望在大型国际会议之外,行业里能有更多小范围、面向具体问题的交流。比如不同长晶方法怎样平衡晶体质量和成本,外延设备残留物怎么控制,掺杂与缺陷如何影响电学一致性,这些问题很难靠一场大报告讲透,更适合材料、设备和器件团队坐在一起,把数据和失败经验都摆出来讨论。
对海外的新进展,我们当然要保持关注,但不必看到一种新方法就马上跟进。每条技术路线都有适用边界,最后还是要回到产品:能否稳定复现、能否持续供货、成本能否被市场接受。国内已经具备比较完整的基础,接下来更重要的是形成各自的技术长板,并围绕真实应用把产业链协同做深。
苏州镓和半导体产品与技术能力

苏州镓和半导体有限公司长期聚焦β-Ga₂O₃单晶生长、衬底精密加工和外延技术开发。公司以导模法为核心生长路线,同时开展其他技术路线验证,已建立从晶体生长、晶向与电学调控,到定向切割、研磨抛光、表面检测和外延验证的完整技术链,可面向高校、科研院所、外延与器件企业提供单晶衬底、同质/异质外延片及定制化材料服务。
目前,公司可稳定供应2至6英寸(100),以及2至4英寸(001)无孪晶高质量氧化镓衬底;6英寸(001)氧化镓单晶已完成样品研制。产品覆盖非掺杂、Fe掺杂高阻和Sn掺杂导电等类型,并可根据晶面取向、尺寸、外延厚度及掺杂要求进行定制。公司的技术重点不是单纯追求尺寸纪录,而是在尺寸放大的同时,持续改善晶体完整性、电学一致性、表面质量和批次稳定性。

镓和半导体氧化镓单晶衬底产品

镓和半导体氧化镓外延片产品

镓和半导体4英寸(001)氧化镓衬底产品

镓和半导体4英寸(001)氧化镓晶体样品

镓和半导体6英寸(001)氧化镓晶体样品

