【国内新闻】福州大学氧化镓团队科研实力再获国家级认可,同时产业化落地取得重大进展!
日期:2026-09-15阅读:19
恭喜福州大学物理与信息工程学院张海忠教授获批国家自然科学基金面上项目《氮掺杂氧化镓CBL基垂直MOSFET器件与机制研究》,这标志着福州大学团队在第四代半导体氧化镓高压功率器件方面的基础创新研究再获国家级认可。
福州大学氧化镓团队核心骨干均毕业于国内外知名高校,具有丰富的超大项目研发与管理经验,该团队在氧化镓领域具有多年的深厚技术积累,具备从材料外延、器件设计到工艺集成的全链条研发能力,取得一系列具有自主知识产权的创新研究成果。
国内首次将AI辅助技术用于氧化镓材料的外延生长,有效解决外延生长过程中的复杂热动力学调控难题,实现高效且低成本外延生长。
国内首次报道氧化镓原位外延P型掺杂技术,使氧化镓高压器件的灵活设计成为可能。成果荣获教育部产业赛道金奖,并获央视CCTV13专题报道。
此外,团队通过电场精细优化与特色创新工艺开发,基于简单可量产器件结构,完成多款不同电压等级的功率器件流片。2024年已经成功开发出耐压3110 V,比导通电阻为4.4 mΩ·cm²的氧化镓SBD器件,并入选德国国际功率器件顶级会议ISPSD 2024。

目前该团队正在致力于将创新研究成果向产品转化,成立了泉镓科技有限公司,主营业务涵盖氧化镓外延片、功率、射频与紫外光电芯片的研发与生产。
公司先后荣获福建省“百人计划”、厦门市“双百计划”等荣誉。公司首轮融资完成后,将用于建设国内首条同时具备氧化镓外延与流片的准IDM mini-line,为同行提供高质量的氧化镓外延片、流片代工、测试与技术咨询服务。


特别感谢北京铭镓、富加镓业、镓仁半导体、厦门大学、国防科技大学、亚洲氧化镓联盟等单位对团队的大力支持!
欢迎同行交流合作。请各位同行批评指正。
联系人:叶树瑞
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