【专利信息】氧化镓专利动态周报（9月-第十一期）：福建晶旭布局ε相氧化镓与POI衬底，中科院半导体所推进光电突触器件

        国家知识产权局信息显示，福建晶旭半导体科技有限公司申请了一项名为“POI衬底及其制备方法、声学器件”的专利，申请公布号为CN122699548A，申请号为202610674239X。

        本发明涉及半导体技术领域，具体公开了一种POI衬底及其制备方法、声学器件。其中，POI衬底的制备方法包括：提供衬底；在衬底上生长非晶氧化镓层；在非晶氧化镓层上生长纳米晶氧化镓层；其中，纳米晶氧化镓层为垂直于截面的c轴取向；将纳米晶氧化镓层进行活化处理，得到第一中间品；将压电衬底进行离子注入，在压电衬底的预设位置处形成剥离缺陷层，得到第二中间品A；将第一中间品与第二中间品A键合，得到第三中间品A；采用脉冲激光将第三中间品A进行处理，以使纳米晶氧化镓层转化为ε相氧化镓层；沿剥离缺陷层将压电衬底分裂并部分剥离，形成压电层。实施本发明，可提升POI衬底的导热性能与可靠性。

        国家知识产权局信息显示，中国科学院半导体研究所申请了一项名为“一种氧化镓光电突触器件及其制备方法”的专利，申请公布号为CN122708933A，申请号为2026106730852。

        本公开提供一种氧化镓光电突触器件及其制备方法。器件包括：单晶氧化镓衬底；光吸收层，形成在单晶氧化镓衬底的表面，光吸收层具有面内各向异性且具有氧空位；第一电极和第二电极，相互间隔设于单晶氧化镓衬底上并部分覆盖光吸收层的表面，形成不对称电极结构，以产生内建电场；日盲紫外光照射光吸收层产生的光生在内建电场作用下发生分离，分离出的电子一部分向第一电极或第二电极迁移，形成随入射光偏振方向变化的光电流；另一部分电子被氧空位捕获，并在光照停止后被缓慢释放；偏振比放大电路，输入端与第一电极或第二电极电连接，用于将接收的光电流转换为电压信号，将微弱变化的电压信号放大为对应入射光偏振方向显著变化的输出电信号。

        国家知识产权局信息显示，南京大学申请了一项名为“一种高效率异质外延β-Ga₂O₃薄膜掺杂方法及其MOSFET器件制备方法”的专利，申请公布号为CN122742640A，申请号为2026108692573。

        本发明公开了一种高效率异质外延β-Ga₂O₃薄膜掺杂方法及其MOSFET器件制备方法；采用金属有机化学气相沉积法，在蓝宝石衬底片上外延生长高质量氧化镓薄膜，本发明实现了高效率n型掺杂与载流子激活，并制备了异质外延β-Ga₂O₃器件；基于本发明，可有效减少氧化镓薄膜成核层的缺陷和位错，便于外延得到高质量的氧化镓薄膜，提高氧化镓薄膜的生长质量和薄膜的导电性；本发明通过优化异质外延技术以及沉积后退火（PDA）工艺，在减少氧化镓薄膜的生产成本的同时实现高效率掺杂；与现有技术相比，该发明在材料外延与器件制造方面具有明显的创新和广阔的应用前景。

        国家知识产权局信息显示，中国科学院半导体研究所申请了一项名为“基于氧化镓的光电突触阵列及其制备方法和成像方法”的专利，申请公布号为CN122742485A，申请号为2026107151132。

        本发明提供了一种基于氧化镓的光电突触阵列及其制备方法和成像方法。光电突触阵列包括电极互连结构和阵列分布的多个基础突触器件，每个基础突触器件包括：氧化镓衬底；光吸收层，设置于氧化镓衬底表面；叉指电极结构，包括设置于光吸收层上远离氧化镓衬底一侧的不同区域的肖特基接触电极和欧姆接触电极，肖特基接触电极与欧姆接触电极在光吸收层表面形成肖特基结；其中，肖特基接触电极的指部与欧姆接触电极的指部交错排列，且相邻指部之间的间距L为叉指间距，叉指间距根据氧化镓衬底表面的氧空位浓度确定；封装层，覆盖在光吸收层上的露出区域以及肖特基接触电极和欧姆接触电极各自远离光吸收层的一侧。

        国家知识产权局信息显示，福建晶旭半导体科技有限公司申请了一项名为“ε相氧化镓外延结构及其制备方法、半导体器件”的专利，申请公布号为CN122742623A，申请号为2026106384760。

        本发明公开了一种ε相氧化镓外延结构及其制备方法、半导体器件，涉及半导体薄膜生长技术领域。其中，ε相氧化镓外延结构包括衬底，依次层叠于所述衬底上的超晶格缓冲层和ε相氧化镓层；所述超晶格缓冲层包括交替层叠的第一子层和第二子层；其中，第一子层为(A_xGa_1-x)₂O₃层和Ga₂O₃层；A为Fe、Al和/或In；或者所述超晶格缓冲层包括交替层叠的BO层和Ga₂O₃层，B为Mg或Zn；或者所述超晶格缓冲层包括交替层叠的AlN层和第一GaN层；或者所述超晶格缓冲层包括交替层叠的AlGaN层和第二GaN层；或者所述超晶格缓冲层包括交替层叠的Mo层和SiO₂层。实施本发明，可提升ε相氧化镓层的晶体质量与界面稳定性。

        国家知识产权局信息显示，福建晶旭半导体科技有限公司申请了一项名为“声表面波器件及其制备方法”的专利，申请公布号为CN122740789A，申请号为2026104455850。

        本发明涉及半导体器件技术领域，具体公开了一种声表面波器件及其制备方法。其中，声表面波器件包括：支撑衬底；其具有相对设置的第一表面和第二表面；ε相氧化镓层，其设于所述第一表面或第二表面上；介质层，其设于所述ε相氧化镓层上；压电层，其设于所述介质层上；以及叉指电极，其设于所述压电层上。实施本发明，可优化器件的热稳定性与声学隔离性能，提升品质因数。

        国家知识产权局信息显示，江西理工大学申请了一项名为“一种从钕铁硼废料中回收镓的方法”的专利，申请公布号为CN122706983A，申请号为2026111740924。

        本发明提供一种从钕铁硼废料中回收镓的方法，涉及资源综合利用技术领域。该方法将废旧钕铁硼磁体破碎筛分后，按一定比例加入硫酸溶液中，放入高压反应釜中充分反应。经液固分离后，铁以赤铁矿形式留在渣中，稀土和镓进入滤液中；然后向滤液中加入多元羧酸配位剂，利用该试剂与稀土离子生成难溶沉淀、而与镓离子形成可溶性络合阴离子的特性，实现稀土与镓的选择性分离。将含镓滤液加入萃取槽中，采用胺基类萃取剂经错流萃取提取镓，对负载镓有机相进行逆流反萃，获得高纯镓溶液，后经沉淀、煅烧制得高纯氧化镓。本发明实现了钕铁硼废料中镓与稀土的协同回收，工艺流程短，资源利用率高，环境友好，具有显著的工业应用价值。

        国家知识产权局信息显示，兰州大学申请了一项名为“二氧化硅分子筛包覆的Cr³⁺掺杂氧化镓近红外荧光粉及其制备方法”的专利，申请公布号为CN122706347A，申请号为2026108674132。

        本发明公开了一种二氧化硅分子筛包覆的Cr³⁺掺杂氧化镓近红外荧光粉及其制备方法，属于发光材料制备技术领域。所述近红外荧光粉的化学式为Ga_2-xCr_xO₃@SBA-15，其中0.002≤x≤0.010。该近红外荧光粉是将具有光学活性的Ga_2-xCr_xO₃在二氧化硅分子筛内部结晶生长得到，由于分子筛内部的限域生长作用，本发明方法能够高效合成SiO₂包覆的Ga_2-xCr_xO₃近红外荧光粉，该制备方法绿色环保，得到荧光粉的微观尺寸、形貌可控，发射光谱的波长为650-900nm，具有良好的全峰半宽，适合应用于近红外荧光转换发光二极管中。

        国家知识产权局信息显示，江西恩凯金属科技有限公司申请了一项名为“一种从含镓石灰渣中回收高纯镓的方法”的专利，申请公布号为CN122727570A，申请号为2026108684613。

        本发明公开了一种从含镓石灰渣中回收高纯镓的方法，包括：在球磨过程中加入含硫酸液相介质进行浆化，再补加盐酸进行混酸浸出；用铁粉将浸出液中的Fe³⁺还原为Fe²⁺；采用TBP与异辛醇协同的有机相萃取富集镓；中和沉淀并加温漂洗得到精制氢氧化镓；配制电解原液后，先以氧化剂和钙基试剂进行一次除杂，再以硫化物和过渡金属盐进行二次除杂；最后电解精制得到纯度≥99.99%的高纯金属镓。该方法通过混酸浸出与球磨预钙化的配合、萃取前还原除铁、加温漂洗及分步协同深度除杂，实现了从高钙含镓物料中高效提取镓，总回收率可达92%以上，且产品中砷、锗等限制性杂质含量低于5ppm，工艺稳定，适于工业化生产。