【器件论文】通过器件级输运-弛豫竞争解释 α-Ga₂O₃ MSM X 射线探测器中的偏压依赖性瞬态过冲现象

        由韩国航空大学的研究团队在学术期刊 Materials Chemistry and Physics 发布了一篇名为 Bias-Dependent Transient Overshoot in α-Ga₂O₃ MSM X-Ray Detectors Interpreted through Device-Level Transport–Relaxation Competition（通过器件级输运-弛豫竞争解释 α-Ga₂O₃ MSM X 射线探测器中的偏压依赖性瞬态过冲现象）的文章。

摘要

        本文系统研究了对称 Ti/Ti α-Ga₂O₃ 金属-半导体-金属 X 射线探测器的偏压依赖性瞬态光电流响应。在低偏压下，探测器表现出明显的初始电流过冲，随后逐渐接近稳态光电流。过冲幅度随施加电压的增加而显著减小，在 15 V 时变得可忽略不计。相比之下，在 1-10 V 范围内，现象学拟合的峰后衰减常数（τ_fit）保持在约 11-15 s 范围内，并未表现出相应的减小。过冲幅度和 τ_fit 的电压依赖性解耦表明，过冲抑制并不伴随所测峰后衰减的加速。

原文链接：

https://doi.org/10.1016/j.matchemphys.2026.132965