【会议论文】用氯(3-氰丙基)二甲基硅烷通过雾化CVD制备导电的Si掺杂的α-(AlₓGa₁₋ₓ)₂O₃薄膜

        论文简介：来自高知工科大学情报系统工学科和越南科学技术院物理研究所的Giang T. Dang、Yuki Tagashira、Tatsuya Yasuoka、Xiaojiao Liu、Li Liu和Toshiyuki Kawaharamura联合发表了一篇名为《Preparation of conductive Si-doped α-(Al_xGa_1-x)₂O₃ thin films using chloro(3-cyanopropyl) dimethylsilane via mist CVD》的论文文章。该文章介绍用氯(3-氰丙基)二甲基硅烷通过雾化CVD制备导电的Si掺杂的α-(Al_xGa_1-x)₂O₃薄膜。